photovoltaic အင်ဗာတာများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ပါဝါထုတ်လုပ်မှုကို မည်သို့မြှင့်တင်မည်နည်း။

Photovoltaic Inverter ကူးပြောင်းခြင်း ထိရောက်မှု၏ အရေးပါမှု

ပြောင်းလဲခြင်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။photovoltaic အင်ဗာတာများ . ဥပမာအားဖြင့်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ပြောင်းလဲခြင်း၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို 1% တိုးလာပါက 500KW အင်ဗာတာသည် ပျမ်းမျှ 4 နာရီအထိ နေ့စဉ် လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ကီလိုဝပ်နာရီ 20 နီးပါးထုတ်ပေးနိုင်သည်။ ၎င်းသည် တစ်နှစ်လျှင် လျှပ်စစ်ဓာတ်အား 7300 ကီလိုဝပ်နာရီ နီးပါးနှင့် ဆယ်နှစ်အတွင်း လျှပ်စစ်ဓာတ်အား 73,000 ကီလိုဝပ်နာရီ ပိုမိုထုတ်လုပ်နိုင်ပြီး 5KW အင်ဗာတာ၏ ဓာတ်အားထုတ်လုပ်မှုနှင့် ညီမျှသည်။ ဤနည်းအားဖြင့် သုံးစွဲသူများသည် 5KW အင်ဗာတာဖြင့် ပါဝါဘူတာရုံတစ်ခုကို သိမ်းဆည်းနိုင်သည်၊ ထို့ကြောင့် သုံးစွဲသူများ၏ အကျိုးစီးပွားကို အကောင်းဆုံးတိုးတက်စေရန်အတွက်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် အင်ဗာတာ၏ ပြောင်းလဲခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို တတ်နိုင်သမျှ တိုးမြှင့်ရန် လိုအပ်ပါသည်။

photovoltaic အင်ဗာတာ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုထိခိုက်စေသောအချက်များ

အင်ဗာတာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန် တစ်ခုတည်းသောနည်းလမ်းမှာ ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်ဖြစ်သည်။ အင်ဗာတာ၏ အဓိကဆုံးရှုံးမှုမှာ IGBT နှင့် MOSFET ကဲ့သို့သော ပါဝါပြောင်းပြွန်များအပြင် ထရန်စဖော်မာများနှင့် အင်ဒိုက်တာများကဲ့သို့သော သံလိုက်ကိရိယာများမှ ဖြစ်ပေါ်လာသည်။ ဆုံးရှုံးမှုများသည် အစိတ်အပိုင်းများ၏ လက်ရှိနှင့် ဗို့အားနှင့် ရွေးချယ်ထားသော ပစ္စည်းများ၏ လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် ဆက်စပ်နေသည်။ ဆက်ဆံရေးတွေရှိတယ်။ IGBT ဆုံးရှုံးမှုများသည် အဓိကအားဖြင့် conduction loss နှင့် switching loss တို့ဖြစ်သည်။ conduction loss သည် device ၏ အတွင်းခံအားနှင့် passing current တို့နှင့် ဆက်စပ်နေသည်။ switching loss သည် device ၏ switching frequency နှင့် device ခံနိုင်ရည်ရှိသော DC voltage တို့နှင့် ဆက်စပ်နေသည်။

Inductor ၏ ဆုံးရှုံးမှုများတွင် အဓိကအားဖြင့် ကြေးနီဆုံးရှုံးမှုနှင့် သံဆုံးရှုံးမှုများ ပါဝင်သည်။ Copper loss သည် inductor coil ၏ခံနိုင်ရည်ကြောင့် ဆုံးရှုံးမှုကို ရည်ညွှန်းသည်။ လျှပ်စီးကြောင်းသည် ကွိုင်ကို ခုခံပြီး အပူတက်လာသောအခါ၊ လျှပ်စစ်စွမ်းအင်၏ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းသည် အပူစွမ်းအင်အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲသွားပြီး ဆုံးရှုံးသွားမည်ဖြစ်သည်။ ကွိုင်ကို ယေဘုယျအားဖြင့် ကြေးနီဝါယာကြိုးဖြင့် ပြုလုပ်ထားသောကြောင့် ၎င်းကို ကြေးနီဆုံးရှုံးမှုဟုခေါ်သည်။ Transformer ၏ short circuit impedance ကို တိုင်းတာခြင်းဖြင့် ကြေးနီဆုံးရှုံးမှုကို တွက်ချက်နိုင်သည်။ သံဓာတ်ဆုံးရှုံးမှုတွင် ရှုထောင့်နှစ်ခုပါဝင်သည်- တစ်ခုမှာ hysteresis ဆုံးရှုံးမှုဖြစ်ပြီး နောက်တစ်ခုမှာ eddy current loss ဖြစ်သည်။ Transformer ၏ no-load current ကို တိုင်းတာခြင်းဖြင့် သံဆုံးရှုံးမှုကို တွက်ချက်နိုင်သည်။

photovoltaic အင်ဗာတာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မည်သို့မြှင့်တင်မည်နည်း။

လောလောဆယ်တွင် နည်းပညာဆိုင်ရာ လမ်းကြောင်း သုံးခုရှိသည်- တစ်ခုမှာ ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန် space vector pulse width modulation ကဲ့သို့သော ထိန်းချုပ်မှုနည်းလမ်းများကို အသုံးပြုရန်ဖြစ်သည်။ နောက်တစ်ချက်မှာ ပါဝါကိရိယာများ၏ အတွင်းခံအားကို လျှော့ချရန်အတွက် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်း အစိတ်အပိုင်းများကို အသုံးပြုခြင်း၊ တတိယအချက်မှာ သုံးအဆင့်၊ ငါးအဆင့်နှင့် အခြားသော အဆင့်များစွာရှိ Flat လျှပ်စစ် topology နှင့် Soft switching နည်းပညာကို အသုံးပြုပြီး ပါဝါစက်တစ်လျှောက် ဗို့အားကို လျှော့ချရန်နှင့် ပါဝါစက်၏ switching frequency ကို လျှော့ချရန်ဖြစ်သည်။

1. ဗို့အားနေရာလွတ် vector pulse width modulation

၎င်းသည် မြင့်မားသော DC ဗို့အားအသုံးပြုမှုနှင့် ထိန်းချုပ်ရလွယ်ကူခြင်း၏ အားသာချက်များဖြင့် အပြည့်အဝ ဒစ်ဂျစ်တယ်ထိန်းချုပ်မှုနည်းလမ်းဖြစ်ပြီး အင်ဗာတာများတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုပါသည်။ DC ဗို့အား အသုံးချမှုနှုန်းသည် မြင့်မားပြီး တူညီသော အထွက်ဗို့အားအောက်ရှိ DC ဘတ်စ်ဗို့အားကို အသုံးပြုနိုင်ပြီး ပါဝါပြောင်းစက်၏ ဗို့အားဖိအားကို လျှော့ချနိုင်ကာ စက်ပစ္စည်းပေါ်ရှိ switching loss သည် သေးငယ်သွားကာ အင်ဗာတာ၏ ပြောင်းလဲမှု ထိရောက်မှု အတိုင်းအတာတစ်ခုအထိ မြှင့်တင်ပေးသည်။ တိုးတက်မှု။ space vector synthesis တွင် vector sequence ပေါင်းစပ်နည်းလမ်း အမျိုးမျိုးရှိသည်။ မတူညီသောပေါင်းစပ်မှုများနှင့် စီစစ်ခြင်းအားဖြင့်၊ ပါဝါစက်ပစ္စည်းများ၏ ကူးပြောင်းချိန်အရေအတွက်ကို လျှော့ချခြင်း၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကို ရရှိနိုင်ပြီး အင်ဗာတာပါဝါစက်ပစ္စည်းများ၏ ကူးပြောင်းမှုဆုံးရှုံးမှုကို ပိုမိုလျှော့ချပေးနိုင်သည်။

2. ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းများကို အသုံးပြုထားသော အစိတ်အပိုင်းများ

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကိရိယာများ၏ တစ်ယူနစ် ဧရိယာ ခံနိုင်ရည်သည် ဆီလီကွန် ကိရိယာများ၏ တစ်ရာခိုင်နှုန်းသာ ဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းများဖြင့်ပြုလုပ်ထားသည့် IGBTs ကဲ့သို့သော ပါဝါစက်ပစ္စည်းများ၏ ခုခံအားမှာ သာမန်ဆီလီကွန်စက်ပစ္စည်းများ၏ ဆယ်ပုံတစ်ပုံအထိ လျော့ကျသွားသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်နည်းပညာကို ထိထိရောက်ရောက် လျှော့ချနိုင်သည် Diode ၏ ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ရယူသည့် လျှပ်စီးကြောင်းသည် သေးငယ်သည်၊ ၎င်းသည် ပါဝါစက်ပစ္စည်းပေါ်ရှိ switching losses များကို လျှော့ချနိုင်ပြီး main switch မှ လိုအပ်သော လက်ရှိ စွမ်းဆောင်ရည်ကိုလည်း အလိုက်သင့် လျှော့ချနိုင်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ main switch ၏ anti-parallel diodes အဖြစ် silicon carbide diodes ကို အသုံးပြုခြင်းသည် အင်ဗာတာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန် အကောင်းဆုံးနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ နည်းလမ်း။ သမားရိုးကျ အမြန်ပြန်လည်ရယူခြင်းဆီလီကွန်ဆန့်ကျင်ဘက် ဒိုင်အိုဒများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက၊ silicon carbide anti-parallel diodes ကိုအသုံးပြုပြီးနောက်၊ diode reverse recovery current သည် သိသိသာသာလျော့ကျသွားပြီး အလုံးစုံပြောင်းလဲခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို 1% မြှင့်တင်နိုင်ပါသည်။ မြန်ဆန်သော IGBT ကိုအသုံးပြုပြီးနောက်၊ ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းကို အရှိန်မြှင့်လာပြီး စက်တစ်ခုလုံး၏ ပြောင်းလဲခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို 2% မြှင့်တင်နိုင်ပါသည်။ SiC anti-parallel diodes များကို လျင်မြန်သော IGBTs များနှင့် ပေါင်းစပ်လိုက်သောအခါ၊ အင်ဗာတာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်သည် ပိုမိုတိုးတက်ကောင်းမွန်လာမည်ဖြစ်သည်။

3. Soft switching နှင့် multi-level နည်းပညာ

Soft switching နည်းပညာသည် switching device မှ current သို့မဟုတ် voltage ကို sinusoidally သို့မဟုတ် sinusoidally quasi-sinusoidally ပြောင်းလဲစေရန် resonance နိယာမကို အသုံးပြုသည်။ လက်ရှိ သဘာဝအတိုင်း သုညကို ဖြတ်သွားသောအခါ၊ ကိရိယာကို ပိတ်ထားသည်။ ဗို့အားသည် သဘာဝအတိုင်း သုညသို့ ဖြတ်သွားသောအခါ၊ စက်ကို ဖွင့်ထားသည်။ ၎င်းသည် ကူးပြောင်းခြင်းဆုံးရှုံးမှုများကို လျော့နည်းစေပြီး inductive turn-off နှင့် capacitive turn-on ကဲ့သို့သော ပြဿနာများကို များစွာဖြေရှင်းပေးပါသည်။ switch tube တစ်လျှောက် ဗို့အား သို့မဟုတ် switch tube မှတဆင့် စီးဆင်းနေသော လျှပ်စီးကြောင်းသည် သုညဖြစ်ပြီး၊ သို့မှသာ switch tube တွင် switching loss မရှိစေရန် ၎င်းကို ဖွင့် သို့မဟုတ် ပိတ်ပါ။ သမားရိုးကျ အဆင့်နှစ်ဆင့် တည်ဆောက်ပုံနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက သုံးအဆင့် အင်ဗာတာ၏ အထွက်သည် သုညအဆင့်ကို တိုးစေပြီး ပါဝါစက်၏ ဗို့အားဖိစီးမှုကို ထက်ဝက်လျှော့ချသည်။ ဤအားသာချက်ကြောင့်၊ တူညီသော switching frequency တွင်၊ အင်ဗာတာသည် အဆင့်နှစ်ဆင့်တည်ဆောက်ပုံထက် သေးငယ်သော output filter inductor ကို အသုံးပြုနိုင်ပြီး inductor ဆုံးရှုံးမှု၊ ကုန်ကျစရိတ်နှင့် အသံအတိုးအကျယ်ကို ထိထိရောက်ရောက် လျှော့ချနိုင်သည်။ တူညီသော output harmonic content တွင်၊ အင်ဗာတာသည် အဆင့်နှစ်ဆင့်ဖွဲ့စည်းပုံထက် နိမ့်သော switching frequency ကို အသုံးပြုနိုင်ပြီး၊ device switching loss သည် သေးငယ်ပြီး အင်ဗာတာ၏ ပြောင်းလဲခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ထားသည်။