နေရောင်ခြည် အင်ဗာတာများအတွက် စွယ်စုံကျမ်း နိဒါန်း

မံ ဓာတ်အားထိန်းညှိခြင်းနှင့် ပါဝါထိန်းညှိခြင်းဟုလည်း လူသိများသော၊ သည် photovoltaic စနစ်၏ မရှိမဖြစ်အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ photovoltaic အင်ဗာတာ၏ အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်မှာ ဆိုလာပြားများမှ ထုတ်ပေးသော DC ပါဝါအား အိမ်သုံးပစ္စည်းများမှ အသုံးပြုသော AC ပါဝါအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲပေးခြင်းဖြစ်သည်။ ဆိုလာပြားများမှ ထုတ်ပေးသော လျှပ်စစ်ဓာတ်အား အားလုံးကို ပြင်ပကမ္ဘာသို့ မထုတ်ပေးမီ အင်ဗာတာဖြင့် စီမံဆောင်ရွက်ရပါမည်။ [1] full-bridge circuit မှတဆင့်၊ system end user များအတွက် lighting load frequency၊ rated voltage စသည်တို့ကို system end users များအတွက် sinusoidal AC power ရရှိရန် မော်ဂျူ၊ စစ်ထုတ်ခြင်း၊ လျှပ်စီးကြောင်းမြှင့်တင်ခြင်း စသည်ဖြင့် ယေဘုယျအားဖြင့် SPWM ပရိုဆက်ဆာကို အသုံးပြုပါသည်။ အင်ဗာတာဖြင့် စက်ပစ္စည်းများအတွက် AC ပါဝါပေးရန် DC ဘက်ထရီကို အသုံးပြုနိုင်သည်။

နိဒါန်း-

ဆိုလာ AC ပါဝါထုတ်လုပ်သည့်စနစ်သည် ဆိုလာပြားများ၊ အားသွင်းကိရိယာ၊ အင်ဗာတာနှင့် ဘက်ထရီများဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ဆိုလာ DC ဓာတ်အားထုတ်လုပ်သည့်စနစ်တွင် အင်ဗာတာ မပါဝင်ပါ။ AC ပါဝါအား DC ပါဝါအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို rectification ဟုခေါ်သည်၊ ပြုပြင်ခြင်းလုပ်ငန်းကို ပြီးမြောက်စေသည့် ဆားကစ်ကို rectifier circuit ဟုခေါ်ပြီး ပြုပြင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို အကောင်အထည်ဖော်သည့်ကိရိယာကို rectifier device သို့မဟုတ် rectifier ဟုခေါ်သည်။ တဆက်တည်းတွင်၊ DC ပါဝါအား AC ပါဝါအဖြစ်သို့ပြောင်းလဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို အင်ဗာတာဟုခေါ်သည်၊ အင်ဗာတာလုပ်ဆောင်ချက်ကို ပြီးမြောက်စေသည့် ဆားကစ်ကို အင်ဗာတာဆားကစ်ဟုခေါ်သည်၊ အင်ဗာတာလုပ်ငန်းစဉ်ကိုအကောင်အထည်ဖော်သည့်ကိရိယာကို အင်ဗာတာပစ္စည်းများ သို့မဟုတ် အင်ဗာတာဟုခေါ်သည်။

အင်ဗာတာ ကိရိယာ၏ အူတိုင်သည် အင်ဗာတာ ခလုတ်ဆားကစ်ဖြစ်ပြီး အင်ဗာတာ ဆားကစ်ဟု ခေါ်ဆိုသည်။ ဤဆားကစ်သည် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ခလုတ်ကို အဖွင့်အပိတ်လုပ်ခြင်းဖြင့် အင်ဗာတာလုပ်ဆောင်ချက်ကို ပြီးမြောက်စေသည်။ ပါဝါ အီလက်ထရွန်းနစ် ကူးပြောင်းကိရိယာများ ကူးပြောင်းရာတွင် အချို့သော မောင်းနှင်အားများ လိုအပ်ပြီး ဗို့အား အချက်ပြမှု ပြောင်းလဲခြင်းဖြင့် အဆိုပါ pulses များကို ချိန်ညှိနိုင်ပါသည်။ ပဲ့များကိုထုတ်ပေးပြီး ထိန်းညှိပေးသော circuit ကို control circuit သို့မဟုတ် control loop ဟုခေါ်သည်။ အင်ဗာတာစက်၏ အခြေခံဖွဲ့စည်းပုံမှာ အထက်ဖော်ပြပါ အင်ဗာတာဆားကစ်နှင့် ထိန်းချုပ်ပတ်လမ်း၊ အကာအကွယ်ပတ်လမ်း၊ အထွက်ပတ်လမ်း၊ အဝင်ပတ်လမ်း၊ အထွက်ပတ်လမ်းတို့အပြင် ပါဝင်သည်။

အင်္ဂါရပ်များ:

အဆောက်အဦများ ကွဲပြားမှုကြောင့် ဆိုလာပြားတပ်ဆင်ခြင်း ကွဲပြားမှုဆီသို့ မလွဲမသွေ ဖြစ်ပေါ်လာမည်ဖြစ်သည်။ အဆောက်အဦ၏ လှပသောအသွင်အပြင်ကို ထည့်သွင်းစဉ်တွင် နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်၏ ပြောင်းလဲခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို အမြင့်ဆုံးမြှင့်တင်ရန်အတွက်၊ ၎င်းသည် နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်၏ အကောင်းဆုံးနည်းလမ်းကိုရရှိရန် ကျွန်ုပ်တို့၏ အင်ဗာတာများ ကွဲပြားရန် လိုအပ်ပါသည်။ ပြောင်းပါ။

ဗဟိုချုပ်ကိုင်မှု ပြောင်းပြန်လှန်ခြင်း။

Centralized inverter ကို ယေဘုယျအားဖြင့် photovoltaic power stations (>10kW) ၏ စနစ်များတွင် အသုံးပြုသည်။ အပြိုင် photovoltaic ကြိုးများစွာကို တူညီသော ဗဟိုချုပ်ကိုင်မှုရှိသော အင်ဗာတာ၏ DC input နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ယေဘုယျအားဖြင့် ပါဝါမြင့်မားရန်အတွက် သုံးဆင့် IGBT ပါဝါ module များကို အသုံးပြုကြသည်။ အငယ်များသည် sine wave current နှင့် အလွန်နီးစပ်စေရန် ထုတ်လုပ်ထားသော ပါဝါ၏ အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် field effect transistor များကို အသုံးပြုပြီး DSP converter controllers ကို အသုံးပြုပါသည်။ အကြီးမားဆုံးအင်္ဂါရပ်မှာ ပါဝါမြင့်မားပြီး ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသော စနစ်ဖြစ်သည်။ သို့သော်၊ photovoltaic စနစ်တစ်ခုလုံး၏ ထိရောက်မှုနှင့် လျှပ်စစ်ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို photovoltaic ကြိုးများနှင့် တစ်စိတ်တစ်ပိုင်း အရိပ်ပေးခြင်းဖြင့် သက်ရောက်မှုရှိသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ photovoltaic စနစ်တစ်ခုလုံး၏ ဓာတ်အားထုတ်လုပ်နိုင်မှုအား ယုံကြည်စိတ်ချရမှုသည် အချို့သော photovoltaic ယူနစ်အုပ်စုတစ်ခု၏ ညံ့ဖျင်းသောလုပ်ဆောင်မှုအခြေအနေကြောင့် ထိခိုက်ပါသည်။ နောက်ဆုံးပေါ် သုတေသနလမ်းညွှန်ချက်များမှာ partial load အခြေအနေများအောက်တွင် မြင့်မားသောထိရောက်မှုရရှိရန် space vector modulation control ကိုအသုံးပြုခြင်းနှင့် အင်ဗာတာ topology ချိတ်ဆက်မှုအသစ်များဖန်တီးခြင်း တို့ဖြစ်သည်။ SolarMax ဗဟိုချုပ်ကိုင်ထားသော အင်ဗာတာတွင်၊ photovoltaic ရွက်လွှင့်ပြားများ၏ ကြိုးတန်းတစ်ခုစီကို စောင့်ကြည့်ရန် photovoltaic array interface box ကို တွဲပေးနိုင်ပါသည်။ ကြိုးများထဲမှ တစ်ခုသည် ကောင်းမွန်စွာ အလုပ်မလုပ်ပါက၊ စနစ်သည် အချက်အလက်များကို အဝေးထိန်းကိရိယာသို့ ပေးပို့မည်ဖြစ်ပြီး၊ ဤစာကြောင်းကို အဝေးထိန်းစနစ်ဖြင့် ရပ်တန့်ထားနိုင်သည်၊ ထို့ကြောင့် photovoltaic ကြိုးတစ်ချောင်း၏ ချို့ယွင်းမှုသည် အလုပ်နှင့် စွမ်းအင်ထွက်ရှိမှုကို လျော့ပါးစေမည်မဟုတ်ပါ။ photovoltaic စနစ်တစ်ခုလုံး၏။

ကြိုးတန်းမံ

ကြိုးတန်းအင်ဗာတာများသည် နိုင်ငံတကာဈေးကွက်တွင် လူကြိုက်အများဆုံး အင်ဗာတာများဖြစ်လာသည်။ string inverter သည် modular concept ကိုအခြေခံသည်။ photovoltaic string တစ်ခုစီ (1kW-5kW) သည် အင်ဗာတာမှတဆင့် ဖြတ်သန်းပြီး၊ DC အဆုံးတွင် အမြင့်ဆုံး power peak tracking ပါရှိပြီး AC အဆုံးတွင် grid နှင့် အပြိုင် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ကြီးမားသော photovoltaic ဓာတ်အားပေးစက်ရုံများစွာသည် string အင်ဗာတာများကို အသုံးပြုကြသည်။ အားသာချက်မှာ ကြိုးတန်းများကြားတွင် module ကွဲလွဲမှုများနှင့် အရိပ်များကြောင့် မထိခိုက်ဘဲ၊ တစ်ချိန်တည်းတွင် photovoltaic module များ၏ အကောင်းဆုံးလည်ပတ်မှုအမှတ်ကို လျော့နည်းစေသည်။

အင်ဗာတာနှင့် မကိုက်ညီသောကြောင့် ပါဝါထုတ်လုပ်ခြင်းကို တိုးစေသည်။ ဤနည်းပညာဆိုင်ရာ အားသာချက်များသည် စနစ်ကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချရုံသာမက စနစ်၏ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကိုလည်း တိုးမြင့်စေပါသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ စနစ်အတွင်းရှိ ကြိုးတစ်ချောင်း၏ ပါဝါသည် အင်ဗာတာတစ်ခုအား အလုပ်မလုပ်နိုင်သောအခါတွင် "master-slave" ၏ သဘောတရားကို ကြိုးများကြားတွင် မိတ်ဆက်ထားသည်၊ ထို့ကြောင့် တစ်ခုနှင့်တစ်ခု ခွင့်ပြုရန် photovoltaic string အုပ်စုများစွာကို အတူတကွ ချိတ်ဆက်နိုင်သည်။ သူတို့ထဲက တော်တော်များများ အလုပ်လုပ်ဖို့။ ထို့ကြောင့် လျှပ်စစ်စွမ်းအင်ကို ပိုမိုထုတ်လုပ်ပေးသည်။ နောက်ဆုံးအယူအဆမှာ အင်ဗာတာအများအပြားသည် "သခင်-ကျွန်" အယူအဆကို အစားထိုးရန် အချင်းချင်း "အဖွဲ့" ဖွဲ့ကာ စနစ်အား ပိုမိုယုံကြည်စိတ်ချရစေသည်။

ကြိုးမျိုးစုံ အင်ဗာတာ

Multi-string inverter သည် centralized inverter နှင့် string inverter တို့၏ အားသာချက်များကို ရယူပြီး ၎င်းတို့၏ အားနည်းချက်များကို ရှောင်ရှားကာ ကီလိုဝပ်များစွာရှိသော photovoltaic power station များတွင် အသုံးချနိုင်သည်။ Multi-string အင်ဗာတာတွင် မတူညီသော ပါဝါအထွတ်အထိပ်ခြေရာခံခြင်းနှင့် DC-to-DC ပြောင်းစက်များ ပါဝင်သည်။ DC အား ဘုံ DC-to-AC အင်ဗာတာမှတဆင့် AC ပါဝါအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲပြီး ဇယားကွက်သို့ ချိတ်ဆက်ထားသည်။ photovoltaic strings များ၏ မတူညီသော အဆင့်သတ်မှတ်ချက်များ (ဥပမာ မတူညီသော အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ပါဝါ၊ စာတန်းတစ်ခုစီတွင် မတူညီသော module အရေအတွက်၊ ကွဲပြားခြားနားသော modules များ၏ ထုတ်လုပ်သူများ၊ စသည်)၊ photovoltaic modules များ၏ မတူညီသော အရွယ်အစား သို့မဟုတ် မတူညီသောနည်းပညာများ၊ strings များ၏ မတူညီသော လမ်းကြောင်းများ (ဥပမာ - အရှေ့၊ တောင်နှင့် အနောက်) မတူညီသော စောင်းထောင့်များ သို့မဟုတ် အရိပ်အယောင်များ၊ ကြိုးတစ်ချောင်းစီသည် ၎င်းတို့၏ သက်ဆိုင်ရာ အမြင့်ဆုံးပါဝါအထွတ်အထိပ်တွင် လည်ပတ်ခြင်းဖြင့် ဘုံအင်ဗာတာသို့ ချိတ်ဆက်နိုင်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ DC ကေဘယ်လ်၏ အရှည်ကို လျှော့ချပြီး ကြိုးများကြားတွင် အရိပ်အာနိသင်နှင့် ကြိုးများကြား ခြားနားမှုကြောင့် ဆုံးရှုံးမှုကို လျော့နည်းစေသည်။

ပစ္စမံ

မော်ဂျူးအင်ဗာတာသည် photovoltaic module တစ်ခုစီကို အင်ဗာတာတစ်ခုနှင့် ချိတ်ဆက်ပြီး module တစ်ခုစီတွင် လွတ်လပ်သော အမြင့်ဆုံး power peak tracking ပါရှိသောကြောင့် module နှင့် inverter ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ ပူးပေါင်းလုပ်ဆောင်နိုင်စေရန်။ အများအားဖြင့် 50W မှ 400W photovoltaic power station များတွင် အသုံးပြုလေ့ရှိပြီး စုစုပေါင်းထိရောက်မှုမှာ string inverters များထက် နိမ့်ပါသည်။ ၎င်းတို့ကို AC ဘက်ခြမ်းတွင် အပြိုင်ချိတ်ဆက်ထားသောကြောင့်၊ ၎င်းသည် AC ဘက်ခြမ်းရှိ ဝါယာကြိုးများ၏ ရှုပ်ထွေးမှုကို တိုးစေပြီး ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းရန် ခက်ခဲစေသည်။ ဖြေရှင်းရန် လိုအပ်သော အခြားအချက်မှာ grid နှင့် ပိုမိုထိရောက်စွာ ချိတ်ဆက်နည်း။ ရိုးရှင်းသောနည်းလမ်းမှာ သာမန် AC socket များမှတစ်ဆင့် ဂရစ်ကို တိုက်ရိုက်ချိတ်ဆက်ရန်ဖြစ်ပြီး ကုန်ကျစရိတ်နှင့် စက်ပစ္စည်းတပ်ဆင်ခြင်းများကို လျှော့ချနိုင်သော်လည်း မကြာခဏ နေရာအမျိုးမျိုးရှိ ဓာတ်အားလိုင်း၏ ဘေးကင်းရေးစံနှုန်းများက ၎င်းကို ခွင့်မပြုပေ။ ထိုသို့လုပ်ဆောင်ရာတွင် လျှပ်စစ်ကုမ္ပဏီသည် သာမန်အိမ်သုံးပေါက်ပေါက်နှင့် ထုတ်လုပ်သည့်ကိရိယာ၏ တိုက်ရိုက်ချိတ်ဆက်မှုကို ကန့်ကွက်နိုင်သည်။ နောက်ထပ်ဘေးကင်းလုံခြုံရေးဆိုင်ရာအချက်တစ်ချက်မှာ isolation transformer (ကြိမ်နှုန်းမြင့် သို့မဟုတ် ကြိမ်နှုန်းနိမ့်) လိုအပ်သည် သို့မဟုတ် transformerless inverter ကို ခွင့်ပြုထားခြင်းရှိ၊ ဤအင်ဗာတာသည် ဖန်သားပြင်နံရံများတွင် အသုံးများဆုံးဖြစ်သည်။

ဆိုလာ အင်ဗာတာ စွမ်းဆောင်ရည်

ဆိုလာအင်ဗာတာများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်သည် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင် လိုအပ်ချက်ကြောင့် ကြီးထွားလာသော ဆိုလာအင်ဗာတာများ (photovoltaic အင်ဗာတာများ) အတွက် စျေးကွက်ကို ရည်ညွှန်းသည်။ ဤအင်ဗာတာများသည် အလွန်မြင့်မားသော ထိရောက်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု လိုအပ်ပါသည်။ ဤအင်ဗာတာများတွင် အသုံးပြုသည့် ပါဝါဆားကစ်များကို စစ်ဆေးပြီး ကူးပြောင်းခြင်းနှင့် rectifier ကိရိယာများအတွက် အကောင်းဆုံးရွေးချယ်မှုများကို အကြံပြုထားသည်။ photovoltaic အင်ဗာတာ၏ ယေဘူယျဖွဲ့စည်းပုံအား ပုံ 1 တွင် ပြထားသည်။ ရွေးချယ်ရန် မတူညီသော အင်ဗာတာ သုံးမျိုးရှိသည်။ နေရောင်ခြည်သည် ဆက်တိုက်ချိတ်ဆက်ထားသော ဆိုလာ modules များပေါ်တွင် တောက်ပနေပြီး module တစ်ခုစီတွင် အစီအရီချိတ်ဆက်ထားသော ဆိုလာဆဲလ်ယူနစ်အစုံပါရှိသည်။ ဆိုလာ မော်ဂျူးများမှ ထုတ်ပေးသည့် တိုက်ရိုက်လျှပ်စီးကြောင်း (DC) ဗို့အားသည် မော်ဂျူးခင်းကျင်းမှု၏ အလင်းရောင်အခြေအနေ၊ ဆဲလ်များ၏ အပူချိန်နှင့် စီးရီးတွင် ချိတ်ဆက်ထားသော မော်ဂျူးအရေအတွက်များပေါ်မူတည်၍ ရာနှင့်ချီသော ဗို့ဗို့များပေါ်တွင် ရှိသည်။

ဤအင်ဗာတာအမျိုးအစား၏ အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်မှာ input DC ဗို့အားကို တည်ငြိမ်သောတန်ဖိုးအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲရန်ဖြစ်သည်။ ဤလုပ်ဆောင်ချက်ကို boost converter မှတဆင့်လုပ်ဆောင်ပြီး boost switch နှင့် boost diode လိုအပ်ပါသည်။ ပထမဗိသုကာတွင်၊ မြှင့်တင်သည့်အဆင့်ကို သီးခြား full-bridge converter ဖြင့်လုပ်ဆောင်သည်။ တံတားအပြည့် transformer ၏ ရည်ရွယ်ချက်မှာ သီးခြားခွဲထားရန်ဖြစ်သည်။ အထွက်ရှိ ဒုတိယ full-bridge converter ကို ပထမအဆင့် full-bridge converter မှ DC ကို alternating current (AC) ဗို့အားအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲရန် အသုံးပြုပါသည်။ ညဘက်တွင် ထောက်ပံ့ရေးလိုင်းမှ အထီးကျန်ဖြစ်နေချိန်တွင် ဘေးကင်းစွာ သီးခြားခွဲထားနိုင်စေရန်အတွက် ၎င်း၏အထွက်အား AC ဂရစ်ကွန်ရက်သို့ ချိတ်ဆက်မှုနှစ်ခုထပ်ဆင့်ဆင့်ခလုတ်တစ်ခုမှတစ်ဆင့် ချိတ်ဆက်ခြင်းမပြုမီ စစ်ထုတ်ထားပါသည်။ ဒုတိယဖွဲ့စည်းပုံသည် သီးခြားမဟုတ်သော အစီအစဉ်ဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့တွင် AC ဗို့အားကို မြှင့်တင်သည့်အဆင့်မှ DC ဗို့အားအထွက်မှ တိုက်ရိုက်ထုတ်ပေးပါသည်။ တတိယဖွဲ့စည်းပုံသည် ပါဝါခလုတ်များနှင့် ပါဝါဒိုင်အိုဒိတ်များ၏ ဆန်းသစ်သော topology ကို အသုံးပြု၍ သီးခြား topology တွင် boost နှင့် AC မျိုးဆက်အစိတ်အပိုင်းများ၏ လုပ်ငန်းဆောင်တာများကို ပေါင်းစပ်ထားကာ အင်ဗာတာသည် ဆိုလာပြား၏ ပြောင်းလဲမှုထိရောက်မှု အလွန်နည်းပါးသော်လည်း ဖြစ်နိုင်သမျှ ထိရောက်မှုဖြစ်စေသည်။ 100% နီးပါးရှိသော်လည်း အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ ဂျာမနီတွင် တောင်ဘက်မျက်နှာစာခေါင်မိုးတွင် တပ်ဆင်ထားသော 3kW စီးရီး module တစ်ခုသည် တစ်နှစ်လျှင် 2550 kWh ထုတ်လုပ်နိုင်မည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။ အင်ဗာတာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်သည် 95% မှ 96% သို့ တိုးလာပါက တစ်နှစ်လျှင် လျှပ်စစ်ဓာတ်အား 25kWh ထပ်မံ ထုတ်ပေးနိုင်သည်။ ဤ 25kWh ကိုထုတ်လုပ်ရန် နောက်ထပ်နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး module များကိုအသုံးပြုခြင်း၏ကုန်ကျစရိတ်သည် အင်ဗာတာထည့်ခြင်းနှင့် ညီမျှသည်။ ထိရောက်မှု 95% မှ 96% တိုးမြှင့်ခြင်းသည် အင်ဗာတာ၏ကုန်ကျစရိတ်ကို နှစ်ဆတိုးစေမည်မဟုတ်သောကြောင့် ပိုမိုထိရောက်သောအင်ဗာတာတွင် ရင်းနှီးမြှုပ်နှံခြင်းသည် မလွှဲမရှောင်သာရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။ ပေါ်ပေါက်လာသော ဒီဇိုင်းများအတွက်၊ ကုန်ကျစရိတ်အသက်သာဆုံးဖြင့် အင်ဗာတာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးမြှင့်ခြင်းသည် အဓိက ဒီဇိုင်းစံသတ်မှတ်ချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။ အင်ဗာတာ၏ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့်ကုန်ကျစရိတ်အတွက်၊ ၎င်းတို့သည် အခြားဒီဇိုင်းစံနှုန်းနှစ်ခုဖြစ်သည်။ ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်သည် ဝန်စက်ဝန်းအတွင်း အပူချိန်အတက်အကျများကို လျှော့ချပေးသည်၊ ထို့ကြောင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်၊ ထို့ကြောင့် ဤလမ်းညွှန်ချက်များသည် အမှန်တကယ် ဆက်စပ်နေပါသည်။ မော်ဂျူးများကို အသုံးပြုခြင်းသည်လည်း ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို တိုးမြင့်စေမည်ဖြစ်သည်။

ခလုတ်နှင့် diode ကိုမြှင့်တင်ပါ။

ပြထားသော topologies အားလုံးသည် လျှင်မြန်သော switching power switches လိုအပ်ပါသည်။ မြှင့်တင်သည့်အဆင့်နှင့် တံတားအပြည့်ပြောင်းလဲခြင်းအဆင့်သည် မြန်ဆန်သော switching diodes လိုအပ်သည်။ ထို့အပြင်၊ low frequency (100Hz) switching အတွက် optimized switches များသည် အဆိုပါ topologies များအတွက် အသုံးဝင်ပါသည်။ ပေးထားသည့် ဆီလီကွန်နည်းပညာအတွက်၊ အမြန်ပြောင်းခြင်းအတွက် ပိုမိုကောင်းမွန်သော ခလုတ်များသည် ကြိမ်နှုန်းနိမ့်ပြောင်းခြင်းအက်ပ်များအတွက် အကောင်းဆုံးပြုလုပ်ထားသော ခလုတ်များထက် လျှပ်ကူးပစ္စည်းဆုံးရှုံးမှုပိုများပါသည်။

မြှင့်တင်ခြင်းအဆင့်ကို ယေဘုယျအားဖြင့် စဉ်ဆက်မပြတ် လက်ရှိမုဒ်ပြောင်းစက်အဖြစ် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ အင်ဗာတာတွင်အသုံးပြုသည့် array ရှိ ဆိုလာ module အရေအတွက်ပေါ်မူတည်၍ 600V သို့မဟုတ် 1200V စက်ပစ္စည်းများကို အသုံးပြုမည်ကို ရွေးချယ်နိုင်ပါသည်။ ပါဝါခလုတ်များအတွက် ရွေးချယ်စရာနှစ်ခုမှာ MOSFET နှင့် IGBTs ဖြစ်သည်။ ယေဘူယျအားဖြင့်ပြောရလျှင် MOSFET များသည် IGBTs များထက် ပိုမိုမြင့်မားသော switching frequencies တွင် လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ ထို့အပြင်၊ body diode ၏သြဇာလွှမ်းမိုးမှုကိုအမြဲထည့်သွင်းစဉ်းစားရပါမည်- boost stage တွင် body diode သည်ပုံမှန်လည်ပတ်မှုမုဒ်တွင်လုပ်ဆောင်ခြင်းမရှိသောကြောင့်၎င်းသည်ပြဿနာမဟုတ်ပါ။ MOSFET မိသားစုအတွက် ထိရောက်သော သေဆုံးဧရိယာနှင့် အချိုးကျသည့် on-resistance RDS(ON) မှ MOSFET conduction ဆုံးရှုံးမှုကို တွက်ချက်နိုင်သည်။ အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အားသည် 600V မှ 1200V သို့ပြောင်းသောအခါ MOSFET ၏ conduction ဆုံးရှုံးမှုသည် အလွန်တိုးလာလိမ့်မည်။ ထို့ကြောင့်၊ အဆင့်သတ်မှတ် RDS(ON) နှင့်ညီမျှလျှင်ပင် 1200V MOSFET မရနိုင်ပါ သို့မဟုတ် စျေးနှုန်းမြင့်မားလွန်းသည်။

600V တွင် အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော boost switches များအတွက်၊ superjunction MOSFET များကို အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော ကူးပြောင်းခြင်းအက်ပ်လီကေးရှင်းများအတွက်၊ ဤနည်းပညာသည် အကောင်းဆုံး conduction ဆုံးရှုံးမှုရှိသည်။ TO-220 အထုပ်များတွင် RDS(ON) တန်ဖိုးများ 100 milliohms အောက်တွင်ရှိသော MOSFET များနှင့် TO-247 ပက်ကေ့ခ်ျများတွင် RDS(ON) တန်ဖိုးများ 50 milliohms အောက်ရှိ MOSFETs များ။ 1200V ပါဝါပြောင်းရန် လိုအပ်သော ဆိုလာအင်ဗာတာများအတွက် IGBT သည် သင့်လျော်သောရွေးချယ်မှုဖြစ်သည်။ NPT Trench နှင့် NPT Field Stop ကဲ့သို့သော ပိုမိုအဆင့်မြင့်သော IGBT နည်းပညာများသည် conduction losses များကို လျှော့ချရန်အတွက် အကောင်းဆုံးလုပ်ဆောင်ထားသော်လည်း ပိုမိုမြင့်မားသော switching losses များ၏ကုန်ကျစရိတ်ကြောင့် ၎င်းတို့ကို high frequencies တွင် boost applications များအတွက် သင့်လျော်မှုနည်းပါးစေသည်။

NPT planar နည်းပညာဟောင်းကို အခြေခံ၍ FGL40N120AND သည် မြင့်မားသော switching frequency ဖြင့် boost circuit ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သော စက်ပစ္စည်းတစ်ခုကို တီထွင်ခဲ့သည်။ ၎င်းတွင် EOFF 43uJ/A ရှိသည်။ ပိုမိုအဆင့်မြင့်သော နည်းပညာပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက EOFF သည် 80uJ/A ဖြစ်သည်၊ သို့သော် ယင်းစွမ်းဆောင်ရည်မျိုးရရှိရန်မှာ အလွန်ခက်ခဲပါသည်။ FGL40N120AND စက်ပစ္စည်း၏အားနည်းချက်မှာ saturation voltage drop VCE(SAT) (3.0V နှင့် 2.1V တွင် 125ºC) မြင့်မားသော်လည်း ၎င်းအတွက် မြင့်မားသော boost switching frequencies တွင် ၎င်း၏ နိမ့်သော switching ဆုံးရှုံးမှုသည် ၎င်းအတွက်ထက် ပိုပါသည်။ စက်သည် anti-parallel diode ကိုလည်း ပေါင်းစပ်ထားသည်။ ပုံမှန် boost လည်ပတ်မှုအောက်တွင်၊ ဤ diode လုပ်ဆောင်မည်မဟုတ်ပါ။ သို့သော်၊ စတင်ချိန်အတွင်း သို့မဟုတ် ယာယီအခြေအနေများအတွင်း၊ ယင်းအခြေအနေတွင် anti-parallel diode သည် boost circuit ကို active mode သို့မောင်းနှင်ရန် ဖြစ်နိုင်သည်။ IGBT ကိုယ်တိုင်တွင် မွေးရာပါကိုယ်ထည်ဒိုင်အိုဒမပါသောကြောင့် ယုံကြည်စိတ်ချရသောလည်ပတ်မှုကိုသေချာစေရန် ဤပူးတွဲထုပ်ပိုးထားသောဒိုင်အိုဒသည် လိုအပ်ပါသည်။ boost diodes အတွက်၊ Stealth™ သို့မဟုတ် carbon silicon diodes ကဲ့သို့သော လျင်မြန်သော recovery diodes များ လိုအပ်ပါသည်။ Carbon-silicon diodes များသည် ရှေ့သို့ ဗို့အားနှင့် ဆုံးရှုံးမှု အလွန်နည်းပါးပါသည်။ boost diode ကိုရွေးချယ်သည့်အခါ၊ boost switch တွင် reverse recovery current (သို့မဟုတ် carbon-silicon diode ၏ junction capacitance) ၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားရမည်ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် ထပ်လောင်းဆုံးရှုံးမှုများဖြစ်ပေါ်စေမည်ဖြစ်သည်။ ဤတွင်၊ အသစ်ထွက်ရှိထားသော Stealth II diode FFP08S60S သည် ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုပေးစွမ်းနိုင်သည်။ VDD=390V၊ ID=8A၊ di/dt=200A/us၊ နှင့် case temperature သည် 100ºC ဖြစ်သောအခါ၊ တွက်ချက်ထားသော switching loss သည် 205mJ ၏ FFP08S60S ဘောင်ထက် နိမ့်ပါသည်။ ISL9R860P2 Stealth diode ကို အသုံးပြု၍ ဤတန်ဖိုးသည် 225mJ သို့ရောက်ရှိသည်။ ထို့ကြောင့်၊ ၎င်းသည် မြင့်မားသော switching frequencies တွင် အင်ဗာတာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကိုလည်း တိုးတက်စေသည်။

တံတားခလုတ်များနှင့် ဒိုင်အိုဒိတ်များ

MOSFET full-bridge filtering ပြီးနောက်၊ output bridge သည် 50Hz sinusoidal voltage နှင့် current signal ကိုထုတ်ပေးသည်။ ဘုံအကောင်အထည်ဖော်မှုမှာ စံပြည့်တံတားတည်ဆောက်ပုံ (ပုံ 2) ကို အသုံးပြုရန်ဖြစ်သည်။ ပုံတွင်၊ အထက်ဘယ်နှင့်အောက်ညာဘက်ရှိ switches များကိုဖွင့်ပါက၊ ဘယ်နှင့်ညာ terminals များကြားတွင် positive voltage ကို load လုပ်ပါသည်။ အထက်ညာဘက်နှင့် ဘယ်ဘက်အောက်ရှိ ခလုတ်များကို ဖွင့်ထားပါက၊ ဘယ်နှင့်ညာ terminals များကြားတွင် အနှုတ်ဗို့အားကို တင်နေပါသည်။ ဤအပလီကေးရှင်းအတွက်၊ အချိန်အတိုင်းအတာတစ်ခုအတွင်း ခလုတ်တစ်ခုသာ ဖွင့်ထားသည်။ ခလုတ်တစ်ခုသည် PWM မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းသို့ပြောင်းနိုင်ပြီး အခြားတစ်ခုအား ကြိမ်နှုန်းနိမ့် 50Hz သို့ပြောင်းနိုင်သည်။ bootstrap circuit သည် low-end devices များပြောင်းလဲခြင်းအပေါ် အားကိုးသောကြောင့်၊ low-end devices များကို PWM high frequency သို့ပြောင်းပြီး high-end devices များကို 50Hz low frequency သို့ပြောင်းထားစဉ်။ ဤအပလီကေးရှင်းသည် 600V ပါဝါခလုတ်ကို အသုံးပြုထားသောကြောင့် 600V superjunction MOSFET သည် ဤမြန်နှုန်းမြင့်ခလုတ်ကို အသုံးပြုရန်အတွက် အလွန်သင့်လျော်ပါသည်။ ခလုတ်ကိုဖွင့်ထားချိန်တွင် ဤကူးပြောင်းစက်ပစ္စည်းများသည် အခြားစက်ပစ္စည်းများ၏ နောက်ပြန်ပြန်လည်ရယူရေးလက်ရှိကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့်၊ 600V FCH47N60F ကဲ့သို့သော အမြန်ပြန်လည်ရယူရေးစူပါကိရိယာများသည် စံပြရွေးချယ်မှုများဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ RDS(ON) သည် 73 milliohms ဖြစ်ပြီး ၎င်း၏ conduction ဆုံးရှုံးမှုသည် အခြားသော အလားတူ အမြန်ပြန်လည်နာလန်ထူသည့် စက်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အလွန်နည်းပါးပါသည်။ ဤစက်ပစ္စည်းသည် 50Hz ဖြင့် ပြောင်းလဲသောအခါ၊ အမြန်ပြန်လည်ရယူခြင်းအင်္ဂါရပ်ကို အသုံးပြုရန် မလိုအပ်ပါ။ ဤစက်ပစ္စည်းများသည် စံ superjunction MOSFETs များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက စနစ်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေသည့် ကောင်းမွန်သော dv/dt နှင့် di/dt လက္ခဏာများရှိသည်။

စူးစမ်းရှာဖွေရကျိုးနပ်သော အခြားရွေးချယ်စရာမှာ FGH30N60LSD ကိရိယာကို အသုံးပြုခြင်း ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် 1.1V သာရှိသော saturation voltage VCE(SAT) ရှိသော 30A/600V IGBT ဖြစ်သည်။ ၎င်း၏အလှည့်ကျဆုံးရှုံးမှု EOFF သည် အလွန်မြင့်မားပြီး 10mJ သို့ရောက်ရှိသောကြောင့် ၎င်းသည် ကြိမ်နှုန်းနည်းသောပြောင်းလဲခြင်းအတွက်သာသင့်လျော်သည်။ 50 milliohm MOSFET တွင် လည်ပတ်အပူချိန်တွင် 100 milliohms ၏ on-resistance RDS(ON) ပါရှိသည်။ ထို့ကြောင့် 11A တွင် IGBT ၏ VCE(SAT) နှင့်တူညီသော VDS ရှိသည်။ ဤ IGBT သည် အဟောင်းကွဲနည်းပညာကို အခြေခံထားသောကြောင့် VCE(SAT) သည် အပူချိန်ဖြင့် များစွာမပြောင်းလဲပါ။ ထို့ကြောင့် ဤ IGBT သည် အထွက်တံတားရှိ အလုံးစုံဆုံးရှုံးမှုများကို လျှော့ချပေးကာ အင်ဗာတာ၏ အလုံးစုံစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည်။ FGH30N60LSD IGBT သည် ပါဝါကူးပြောင်းမှုနည်းပညာတစ်ခုမှ အခြားသီးသန့် topology သို့ တစ်ဝက်တစ်ပျက်လည်ပတ်နေသည့်အချက်ကိုလည်း အသုံးဝင်ပါသည်။ IGBT များကို topological switches အဖြစ် ဤနေရာတွင် အသုံးပြုပါသည်။ ပိုမြန်သော ကူးပြောင်းခြင်းအတွက်၊ သမားရိုးကျနှင့် အမြန်ပြန်လည်ရယူရေး superjunction စက်များကို အသုံးပြုပါသည်။ 1200V အထူးသီးသန့် topology နှင့် full-bridge တည်ဆောက်ပုံအတွက်၊ အထက်ဖော်ပြပါ FGL40N120AND သည် ကြိမ်နှုန်းမြင့် ဆိုလာအင်ဗာတာများအတွက် အလွန်သင့်လျော်သော ခလုတ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ အထူးပြုနည်းပညာများသည် diodes၊ Stealth II၊ Hyperfast™ II diodes နှင့် carbon-silicon diodes လိုအပ်သောအခါတွင် ကောင်းမွန်သောဖြေရှင်းချက်ဖြစ်သည်။

လုပ်ဆောင်ချက်-

အင်ဗာတာတွင် DC မှ AC သို့ ပြောင်းလဲခြင်း၏ လုပ်ဆောင်ချက်သည်သာမက ဆိုလာဆဲလ်များ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို အမြင့်ဆုံးနှင့် စနစ်ချို့ယွင်းမှု ကာကွယ်ရေး လုပ်ဆောင်မှုတို့လည်း ပါဝင်သည်။ အချုပ်အားဖြင့်၊ အလိုအလျောက်လည်ပတ်ခြင်းနှင့် ပိတ်ခြင်းလုပ်ဆောင်ချက်များ၊ အမြင့်ဆုံးပါဝါခြေရာခံထိန်းချုပ်မှုလုပ်ဆောင်ချက်၊ အမှီအခိုကင်းသောလည်ပတ်မှုကာကွယ်ရေးလုပ်ဆောင်ချက် (ဂရစ်ချိတ်ဆက်ထားသောစနစ်များအတွက်)၊ အလိုအလျောက်ဗို့အားချိန်ညှိခြင်းလုပ်ဆောင်ချက် (ဂရစ်ချိတ်ဆက်ထားသောစနစ်များအတွက်)၊ DC ထောက်လှမ်းခြင်းလုပ်ဆောင်ချက် (ဂရစ်ချိတ်ဆက်ထားသောစနစ်များအတွက် ) နှင့် DC မြေပြင်ထောက်လှမ်းခြင်း။ လုပ်ဆောင်ချက် (ဂရစ်-ချိတ်ဆက်စနစ်များအတွက်)။ ဤသည်မှာ အလိုအလျောက်လည်ပတ်ခြင်းနှင့် ပိတ်ခြင်းလုပ်ဆောင်ချက်များနှင့် အမြင့်ဆုံးပါဝါခြေရာခံခြင်းထိန်းချုပ်မှုဆိုင်ရာ လုပ်ဆောင်ချက်တို့ကို အတိုချုံးမိတ်ဆက်ပေးခြင်းဖြစ်သည်။

အလိုအလျောက် လည်ပတ်ခြင်းနှင့် ပိတ်ခြင်း လုပ်ဆောင်ခြင်း- နံနက် နေထွက်ပြီးနောက်၊ နေရောင်ခြည် ရောင်ခြည်၏ ပြင်းထန်မှု တဖြည်းဖြည်း တိုးလာပြီး ဆိုလာဆဲလ်၏ အထွက်နှုန်းလည်း တိုးလာပါသည်။ အင်ဗာတာလုပ်ဆောင်ချက်အတွက် လိုအပ်သော အထွက်ပါဝါရောက်ရှိသောအခါ၊ အင်ဗာတာသည် အလိုအလျောက် စတင်လည်ပတ်သည်။ လည်ပတ်ပြီးနောက်၊ အင်ဗာတာသည် ဆိုလာဆဲလ် module များ၏ အထွက်ကို အချိန်တိုင်း စောင့်ကြည့်နေလိမ့်မည်။ ဆိုလာဆဲလ် မော်ဂျူးများ၏ အထွက်ပါဝါသည် အင်ဗာတာလုပ်ငန်းအတွက် လိုအပ်သည့် အထွက်ပါဝါထက် ပိုနေသရွေ့ အင်ဗာတာသည် ဆက်လက်လည်ပတ်နေမည်ဖြစ်သည်။ အင်ဗာတာသည် မိုးရွာသောနေ့များတွင်လည်း လုပ်ဆောင်နိုင်သော်လည်း နေဝင်ချိန်အထိ ရပ်တန့်သွားမည်ဖြစ်သည်။ နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး module output သည် သေးငယ်လာပြီး အင်ဗာတာ output သည် 0 နှင့် နီးကပ်လာသောအခါ၊ အင်ဗာတာသည် အသင့်အနေအထားသို့ ရောက်ရှိသွားပါသည်။

အမြင့်ဆုံး ပါဝါခြေရာခံ ထိန်းချုပ်မှု လုပ်ဆောင်ချက်- ဆိုလာဆဲလ် မော်ဂျူး၏ အထွက်သည် နေရောင်ခြည် ရောင်ခြည်၏ ပြင်းထန်မှုနှင့် ဆိုလာဆဲလ် မော်ဂျူး၏ အပူချိန် (chip အပူချိန်) တို့နှင့်အတူ ပြောင်းလဲသွားသည်။ ထို့အပြင်၊ ဆိုလာဆဲလ် မော်ဂျူးများသည် လက်ရှိ တိုးလာသည်နှင့်အမျှ ဗို့အား လျော့နည်းသွားသည့် လက္ခဏာများ ရှိသောကြောင့်၊ အမြင့်ဆုံး ပါဝါကို ရရှိနိုင်သည့် အကောင်းဆုံး လည်ပတ်မှု အမှတ်တစ်ခု ရှိပါသည်။ နေရောင်ခြည်၏ ပြင်းထန်မှု သည် ပြောင်းလဲနေပြီး အကောင်းဆုံး လုပ်ဆောင်နိုင်သော အချက်မှာလည်း ပြောင်းလဲနေပါသည်။ ဤပြောင်းလဲမှုများနှင့် ဆက်စပ်၍ ဆိုလာဆဲလ် မော်ဂျူး၏ အလုပ်လုပ်သည့်နေရာအား အမြင့်ဆုံး ပါဝါပွိုင့်တွင် အမြဲထားရှိပြီး စနစ်သည် ဆိုလာဆဲလ် မော်ဂျူးမှ အမြင့်ဆုံး ပါဝါအထွက်ကို အမြဲတမ်း ရယူပါသည်။ ဤထိန်းချုပ်မှုမျိုးသည် အမြင့်ဆုံးပါဝါခြေရာခံထိန်းချုပ်မှုဖြစ်သည်။ နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်ထုတ်လုပ်သည့်စနစ်များတွင်အသုံးပြုသည့် အင်ဗာတာများ၏အကြီးမားဆုံးအင်္ဂါရပ်မှာ ၎င်းတို့တွင် အမြင့်ဆုံးပါဝါပွိုင့်ခြေရာခံခြင်း (MPPT) လုပ်ဆောင်ချက်ပါဝင်ပါသည်။

အမျိုးအစား

အပလီကေးရှင်းနယ်ပယ် အမျိုးအစားခွဲခြားခြင်း။

(၁) သာမန် အင်ဗာတာ

DC 12V သို့မဟုတ် 24V အဝင်၊ AC 220V၊ 50Hz အထွက်၊ ပါဝါ 75W မှ 5000W၊ အချို့မော်ဒယ်များသည် AC နှင့် DC ပြောင်းလဲခြင်းဖြစ်သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ UPS လုပ်ဆောင်ချက်ရှိသည်။

(၂) အင်ဗာတာ/အားသွင်းကိရိယာ အားလုံးကို တစ်ခုတည်းသောစက်

ဤအင်ဗာတာ အမျိုးအစားတွင် သုံးစွဲသူများသည် AC ပါဝါများကို ပါဝါပေးရန်အတွက် ပါဝါပုံစံအမျိုးမျိုးကို အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ AC ပါဝါရှိသောအခါ၊ AC power ကို အင်ဗာတာမှတဆင့် ဝန်အားအားသွင်းရန် သို့မဟုတ် ဘက်ထရီအားအားသွင်းရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။ AC ပါဝါမရှိသောအခါ၊ AC load ကိုအားသွင်းရန်အတွက်ဘက်ထရီကိုအသုံးပြုသည်။ . အမျိုးမျိုးသော ပါဝါရင်းမြစ်များ- ဘက်ထရီများ၊ မီးစက်များ၊ ဆိုလာပြားများနှင့် လေတာဘိုင်များနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

(၃) စာတိုက်နှင့် ဆက်သွယ်ရေးအတွက် အထူးအင်ဗာတာ

စာတိုက်နှင့် ဆက်သွယ်ရေးဝန်ဆောင်မှုများအတွက် အရည်အသွေးမြင့် 48V အင်ဗာတာများ ပေးဆောင်ပါ။ ထုတ်ကုန်များသည် အရည်အသွေးကောင်းမွန်ပြီး၊ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုမြင့်မားသော၊ မော်ဂျူလာ (module is 1KW) အင်ဗာတာများဖြစ်ပြီး N+1 redundancy function ပါရှိပြီး တိုးချဲ့နိုင်သည် (ပါဝါ 2KW မှ 20KW) ဖြစ်သည်။ )

(၄) လေကြောင်းနှင့် စစ်ရေးအတွက် အထူးအင်ဗာ

ဤအင်ဗာတာအမျိုးအစားသည် 28Vdc အဝင်ပါရှိပြီး အောက်ပါ AC အထွက်များကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်- 26Vac၊ 115Vac၊ 230Vac။ ၎င်း၏အထွက်ကြိမ်နှုန်းမှာ- 50Hz၊ 60Hz နှင့် 400Hz ဖြစ်နိုင်ပြီး အထွက်ပါဝါသည် 30VA မှ 3500VA အထိဖြစ်သည်။ DC-DC converters များနှင့် လေကြောင်းပျံသန်းမှုအတွက် ရည်ညွှန်းထားသော ကြိမ်နှုန်းပြောင်းစက်များလည်း ရှိပါသည်။

Output waveform အမျိုးအစားခွဲခြားခြင်း။

(၁) စတုရန်းလှိုင်း အင်ဗာတာ

စတုရန်းလှိုင်း အင်ဗာတာမှ AC ဗို့အားလှိုင်းအထွက်သည် စတုရန်းလှိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤအင်ဗာတာအမျိုးအစားတွင်အသုံးပြုသော အင်ဗာတာဆားကစ်များသည် အတိအကျတူညီခြင်းမရှိသော်လည်း အများအားဖြင့်ထူးခြားချက်မှာ circuit သည် အတော်လေးရိုးရှင်းပြီး power switch tubes များကိုအသုံးပြုသည့် အရေအတွက်နည်းသောကြောင့်ဖြစ်သည်။ ဒီဇိုင်းပါဝါသည် ယေဘူယျအားဖြင့် ဝပ်တစ်ရာနှင့် တစ်ကီလိုဝပ်ကြားရှိသည်။ စတုရန်းလှိုင်း အင်ဗာတာ၏ အားသာချက်များမှာ- ရိုးရှင်းသော ဆားကစ်၊ စျေးသက်သက်သာသာနှင့် ထိန်းသိမ်းရလွယ်ကူသည်။ အားနည်းချက်မှာ စတုရန်းလှိုင်းဗို့အားတွင် မြင့်မားသောအော်ဒါဟာမိုနီများ အများအပြားပါရှိသည်၊ ၎င်းသည် သံ core inductors သို့မဟုတ် transformers ဖြင့် load ပစ္စည်းများတွင် ထပ်လောင်းဆုံးရှုံးမှုများဖြစ်ပေါ်စေပြီး ရေဒီယိုနှင့် ဆက်သွယ်ရေးပစ္စည်းအချို့ကို အနှောင့်အယှက်ဖြစ်စေပါသည်။ ထို့အပြင်၊ ဤအင်ဗာတာအမျိုးအစားတွင် ဗို့အားစည်းမျဥ်းမလုံလောက်ခြင်း၊ မပြည့်စုံသောကာကွယ်မှုလုပ်ဆောင်ချက်နှင့် ဆူညံသံအတော်လေးမြင့်မားခြင်းစသည့် ချို့ယွင်းချက်များရှိသည်။

(၂) အဆင့်လှိုင်း အင်ဗာတာ

ဤအင်ဗာတာအမျိုးအစားမှ AC ဗို့အားလှိုင်းအထွက်သည် အဆင့်လှိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ခြေလှမ်းလှိုင်းအထွက်ကို သိရှိစေရန် အင်ဗာတာအတွက် မတူညီသောလိုင်းများစွာရှိပြီး အထွက်လှိုင်းပုံစံရှိ အဆင့်အရေအတွက်သည် အလွန်ကွာခြားပါသည်။ အဆင့်လှိုင်း အင်ဗာတာ၏ အားသာချက်မှာ အထွက်လှိုင်းပုံစံသည် စတုရန်းလှိုင်းနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက သိသိသာသာ ကောင်းမွန်လာပြီး မြင့်မားသော ဟာမိုနီ ပါဝင်မှု လျော့နည်းသွားခြင်း ဖြစ်သည်။ အဆင့် 17 ကျော်ရောက်သောအခါ၊ အထွက်လှိုင်းပုံစံသည် တစ်ပိုင်း sinusoidal လှိုင်းကို ရရှိနိုင်သည်။ transformerless output ကိုအသုံးပြုသောအခါ၊ အလုံးစုံထိရောက်မှုမှာ အလွန်မြင့်မားသည်။ အားနည်းချက်မှာ ladder wave superposition circuit သည် power switch tubes အများအပြားကို အသုံးပြုပြီး အချို့ circuit form များတွင် DC power inputs များစွာ လိုအပ်ပါသည်။ ၎င်းသည် ဆိုလာဆဲလ်အခင်းအကျင်းများကို အုပ်စုဖွဲ့ခြင်းနှင့် ဝိုင်ယာကြိုးများ ချိတ်ဆက်ခြင်းနှင့် ဘက်ထရီအား ဟန်ချက်ညီစွာ အားသွင်းခြင်းတို့ကို ပြဿနာဖြစ်စေသည်။ ထို့အပြင်၊ staircase wave voltage သည် ရေဒီယိုနှင့် ဆက်သွယ်ရေးပစ္စည်းအချို့ကို ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော အနှောင့်အယှက်အချို့ ရှိနေသေးသည်။

Sine wave အင်ဗာတာ

sine wave အင်ဗာတာမှ AC voltage waveform သည် sine wave တစ်ခုဖြစ်သည်။ sine wave အင်ဗာတာ၏ အားသာချက်များမှာ အထွက်လှိုင်းပုံသဏ္ဍာန် ကောင်းမွန်ခြင်း၊ ပုံပျက်ခြင်း အလွန်နည်းခြင်း၊ ရေဒီယိုနှင့် စက်ပစ္စည်းများအား အနှောင့်အယှက် အနည်းငယ်နှင့် ဆူညံသံနည်းပါးခြင်းတို့ကြောင့် ဖြစ်သည်။ ထို့အပြင် ၎င်းတွင် ပြီးပြည့်စုံသော ကာကွယ်မှု လုပ်ဆောင်ချက်များနှင့် အလုံးစုံ စွမ်းဆောင်ရည် မြင့်မားသည်။ အားနည်းချက်များမှာ- ဆားကစ်သည် အတော်ပင်ရှုပ်ထွေးသည်၊ မြင့်မားသော ထိန်းသိမ်းမှုနည်းပညာလိုအပ်သည်၊ စျေးကြီးသည်။

အထက်ဖော်ပြပါ အင်ဗာတာသုံးမျိုး၏ အမျိုးအစားခွဲခြားခြင်းသည် အင်ဗာတာများကို ခွဲခြားသတ်မှတ်ရန်နှင့် ရွေးချယ်ရန် photovoltaic စနစ်များနှင့် လေစွမ်းအင်စနစ်များကို ဒီဇိုင်နာများနှင့် အသုံးပြုသူများအတွက် အထောက်အကူဖြစ်စေပါသည်။ တကယ်တော့၊ တူညီသောလှိုင်းပုံသဏ္ဍာန်ရှိသော အင်ဗာတာများသည် ဆားကစ်အခြေခံမူများ၊ အသုံးပြုသည့်ကိရိယာများ၊ ထိန်းချုပ်မှုနည်းလမ်းများစသည်ဖြင့် ကွာခြားချက်များရှိနေပါသေးသည်။

အခြားအမျိုးအစားခွဲခြားနည်းများ

1. အထွက် AC ပါဝါ၏ ကြိမ်နှုန်းအရ၊ ၎င်းအား ပါဝါကြိမ်နှုန်း အင်ဗာတာ၊ အလတ်စား ကြိမ်နှုန်း အင်ဗာတာ နှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့် အင်ဗာတာ ဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။ ပါဝါကြိမ်နှုန်း အင်ဗာတာ၏ ကြိမ်နှုန်းသည် 50 မှ 60Hz; အလတ်စား ကြိမ်နှုန်း အင်ဗာတာ၏ ကြိမ်နှုန်းသည် ယေဘူယျအားဖြင့် 400Hz မှ ဆယ် kHz ထက်ပိုပါသည်။ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း အင်ဗာတာ၏ ကြိမ်နှုန်းသည် ယေဘုယျအားဖြင့် ဆယ် kHz မှ MHz ထက်ပိုသည်။

2. အင်ဗာတာမှ ထုတ်လွှတ်သည့် အဆင့်အရေအတွက်အရ ၎င်းကို single-phase အင်ဗာတာ၊ သုံးဆင့်အင်ဗာတာနှင့် multi-phase အင်ဗာတာအဖြစ် ပိုင်းခြားနိုင်သည်။

3. အင်ဗာတာ၏ အထွက်ပါဝါ၏ ဦးတည်ရာအရ ၎င်းအား တက်ကြွသော အင်ဗာတာနှင့် passive အင်ဗာတာအဖြစ် ပိုင်းခြားနိုင်သည်။ အင်ဗာတာမှ လျှပ်စစ်စွမ်းအင်ထွက်ရှိမှုကို စက်မှုဓာတ်အားလိုင်းသို့ ပို့လွှတ်သည့် အင်ဗာတာမှန်သမျှကို တက်ကြွသော အင်ဗာတာဟုခေါ်သည်။ အင်ဗာတာမှ လျှပ်စစ်စွမ်းအင်ထွက်ရှိမှုကို အချို့သောလျှပ်စစ်ဝန်ထံ ပို့လွှတ်သည့် အင်ဗာတာမှန်သမျှကို passive အင်ဗာတာဟုခေါ်သည်။ စက်ကိရိယာ။

4. အင်ဗာတာ ပင်မပတ်လမ်းပုံစံအရ ၎င်းကို single-end အင်ဗာတာ၊ push-pull အင်ဗာတာ၊ half-bridge အင်ဗာတာနှင့် full-bridge အင်ဗာတာဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။

5. အင်ဗာတာ၏ ပင်မကူးပြောင်းကိရိယာ အမျိုးအစားအရ ၎င်းကို thyristor အင်ဗာတာ၊ ထရန်စစ္စတာ အင်ဗာတာ၊ နယ်ပယ်အကျိုးသက်ရောက်မှု အင်ဗာတာနှင့် လျှပ်ကာတံခါး bipolar transistor (IGBT) အင်ဗာတာဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။ ၎င်းကို " semi-controlled" အင်ဗာတာ နှင့် "အပြည့်အဝထိန်းချုပ်ထားသော" အင်ဗာတာ ဟူ၍ အမျိုးအစား နှစ်မျိုး ခွဲခြားနိုင်သည်။ ယခင်စက်သည် ကိုယ်တိုင်ပိတ်နိုင်စွမ်းမရှိပါ၊ ၎င်းကိုဖွင့်ပြီးနောက် အစိတ်အပိုင်းသည် ၎င်း၏ထိန်းချုပ်မှုလုပ်ဆောင်ချက်ကို ဆုံးရှုံးသွားသောကြောင့် ၎င်းကို "တစ်ပိုင်းထိန်းချုပ်ထားသည်" ဟုခေါ်ပြီး သာမန် thyristors များသည် ဤအမျိုးအစားထဲသို့ ကျရောက်သွားပါသည်။ နောက်တစ်ခုက မိမိကိုယ်မိမိ ပိတ်နိုင်တဲ့ စွမ်းရည်ရှိပါတယ်၊ ဆိုလိုသည်မှာ စက်မရှိသော အဖွင့်အပိတ်အား control electrode ဖြင့် ထိန်းချုပ်နိုင်သောကြောင့် ၎င်းကို "fully controlled type" ဟုခေါ်သည်။ ပါဝါကွင်းအကျိုးသက်ရောက်မှု ထရန်စစ္စတာများနှင့် လျှပ်ကာတံခါး bi-power transistors (IGBT) အားလုံးကို ဤအမျိုးအစားတွင် သက်ဆိုင်ပါသည်။

6. DC ပါဝါထောက်ပံ့မှုအရ၊ ၎င်းအား ဗို့အားအရင်းအမြစ် အင်ဗာတာ (VSI) နှင့် လက်ရှိရင်းမြစ် အင်ဗာတာ (CSI) ဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။ ယခင်တွင်၊ DC ဗို့အားသည် အဆက်မပြတ်နီးပါးဖြစ်ပြီး အထွက်ဗို့အားမှာ လှည့်ပတ်စတုရန်းလှိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ နောက်ဆုံးတွင်၊ DC လျှပ်စီးကြောင်းသည် အမြဲမပြတ်နီးပါးဖြစ်ပြီး အထွက်လျှပ်စီးကြောင်းသည် လှည့်ပတ်စတုရန်းလှိုင်းဖြစ်သည်။

7. အင်ဗာတာ ထိန်းချုပ်မှုနည်းလမ်းအရ၊ ၎င်းအား ကြိမ်နှုန်းမွမ်းမံမှု (PFM) အင်ဗာတာနှင့် သွေးခုန်နှုန်း အတိုင်းအတာ (PWM) အင်ဗာတာအဖြစ် ပိုင်းခြားနိုင်သည်။

8. အင်ဗာတာ switching circuit ၏ အလုပ်လုပ်မုဒ်အရ၊ ၎င်းကို resonant အင်ဗာတာ၊ ပုံသေကြိမ်နှုန်း hard switching inverter နှင့် fixed frequency soft switching inverter ဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။

9. အင်ဗာတာ၏ ကူးပြောင်းခြင်းနည်းလမ်းအရ ၎င်းအား ဝန်-အပြောင်းအရွှေ့ အင်ဗာတာနှင့် နှိုက်နှိုက်ချွတ်ချွတ် အင်ဗာတာဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။

စွမ်းဆောင်ရည်သတ်မှတ်ချက်များ-

အင်ဗာတာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ဖော်ပြသော ကန့်သတ်ချက်များနှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာ အခြေအနေများစွာ ရှိပါသည်။ ဤတွင် ကျွန်ုပ်တို့သည် အင်ဗာတာများကို အကဲဖြတ်ရာတွင် အသုံးများသော နည်းပညာဆိုင်ရာ ဘောင်များကို အတိုချုံးရှင်းပြခြင်းသာ ဖြစ်ပါသည်။

အင်ဗာတာအသုံးပြုမှု 1. ပတ်ဝန်းကျင်အခြေအနေများ။ အင်ဗာတာ၏ပုံမှန်အသုံးပြုမှုအခြေအနေများ- အမြင့်ပေသည် 1000m ထက်မကျော်လွန်ဘဲ၊ လေအပူချိန်သည် 0~+40 ℃ ဖြစ်သည်။

2. DC အဝင်ပါဝါထောက်ပံ့မှုအခြေအနေများ၊ သွင်းအား DC ဗို့အားအတက်အကျ အပိုင်းအခြား- ဘက်ထရီထုပ်၏ အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အားတန်ဖိုး၏ ±15%။

3. အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော အထွက်ဗို့အား၊ အဝင် DC ဗို့အား၏ သတ်မှတ်ထားသော ခွင့်ပြုနိုင်သော အတက်အကျအကွာအဝေးအတွင်း၊ ၎င်းသည် အင်ဗာတာမှ ထုတ်နိုင်သည့် အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အားတန်ဖိုးကို ကိုယ်စားပြုသည်။ အထွက်အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အားတန်ဖိုး၏တည်ငြိမ်တိကျမှန်ကန်မှုသည် ယေဘူယျအားဖြင့် အောက်ပါပြဋ္ဌာန်းချက်များရှိသည်။

(1) ပုံမှန်လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း၊ ဗို့အားအတက်အကျအကွာအဝေးကို ကန့်သတ်ထားသင့်သည်၊ ဥပမာ၊ ၎င်း၏သွေဖည်မှုသည် သတ်မှတ်ထားသည့်တန်ဖိုး၏ ±3% သို့မဟုတ် ±5% ထက်မကျော်လွန်သင့်ပါ။

(2) ဝန်ရုတ်တရက်ပြောင်းလဲခြင်း သို့မဟုတ် အခြားဝင်ရောက်စွက်ဖက်မှုဆိုင်ရာအချက်များကြောင့် သက်ရောက်မှုရှိသော ရွေ့လျားနိုင်သောအခြေအနေများတွင်၊ အထွက်ဗို့အားသွေဖည်မှုမှာ သတ်မှတ်တန်ဖိုး၏ ±8% သို့မဟုတ် ±10% ထက် မကျော်လွန်သင့်ပါ။

4. အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော အထွက်ကြိမ်နှုန်း၊ အင်ဗာတာ ထုတ်ပေးသည့် AC ဗို့အား၏ ကြိမ်နှုန်းသည် ပုံမှန်အားဖြင့် 50Hz ပါဝါကြိမ်နှုန်း၏ အတော်လေးတည်ငြိမ်သောတန်ဖိုးဖြစ်သင့်သည်။ သွေဖည်မှုသည် ပုံမှန်အလုပ်အခြေအနေအောက်တွင် ±1% အတွင်းဖြစ်သင့်သည်။

5. အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော အထွက်လက်ရှိ (သို့မဟုတ် အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ထုတ်ပေးနိုင်စွမ်း) သည် သတ်မှတ်ထားသော ဝန်ပါဝါအချက်အကွာအဝေးအတွင်း အင်ဗာတာ၏ အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော အထွက်လျှပ်စီးကြောင်းကို ညွှန်ပြသည်။ အချို့အင်ဗာတာထုတ်ကုန်များသည် VA သို့မဟုတ် kVA ဖြင့် ဖော်ပြထားသော အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော အထွက်စွမ်းရည်ကို ပေးသည်။ အင်ဗာတာ၏ အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော စွမ်းရည်သည် အထွက်ပါဝါအချက်မှာ 1 (ဆိုလိုသည်မှာ ခံနိုင်ရည်ဝန်သက်သက်) ဖြစ်သောအခါ၊ အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော အထွက်ဗို့အားသည် အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော အထွက်လျှပ်စီးကြောင်း၏ ရလဒ်ဖြစ်သည်။

6. အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော output efficiency။ အင်ဗာတာ၏ ထိရောက်မှုသည် သတ်မှတ်ထားသော လုပ်ငန်းအခြေအနေများအောက်တွင် ၎င်း၏ အထွက်ပါဝါနှင့် အဝင်ပါဝါ အချိုးအစားကို % ဖြင့် ဖော်ပြသည်။ အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော အထွက်စွမ်းရည်ရှိ အင်ဗာတာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်သည် အပြည့်အဝ ဝန်ထိရောက်မှုဖြစ်ပြီး၊ အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော အထွက်စွမ်းရည်၏ 10% တွင် ထိရောက်မှုမှာ ဝန်ထိရောက်မှုနည်းသည်။

7. အင်ဗာတာ၏ အများဆုံး ဟာမိုနီ ပါဝင်မှု။ sine wave အင်ဗာတာအတွက်၊ resistive load အောက်တွင်၊ အထွက်ဗို့အား၏အမြင့်ဆုံးသဟဇာတပါဝင်မှု ≤10% ဖြစ်သင့်သည်။

8. အင်ဗာတာ၏ ဝန်ပိုနိုင်စွမ်းသည် သတ်မှတ်ထားသော အခြေအနေများအောက်တွင် အချိန်တိုအတွင်း သတ်မှတ်ထားသည့် လက်ရှိတန်ဖိုးထက် ပိုထုတ်ပေးနိုင်သည့် အင်ဗာတာ၏ စွမ်းရည်ကို ရည်ညွှန်းသည်။ အင်ဗာတာ၏ ဝန်ပိုပမာဏသည် သတ်မှတ်ထားသော ဝန်ပါဝါအချက်အောက်တွင် အချို့သောလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီသင့်သည်။

9. အင်ဗာတာ၏ ထိရောက်မှုသည် အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော အထွက်ဗို့အား၊ အထွက်လျှပ်စီးကြောင်းနှင့် သတ်မှတ်ထားသော ဝန်ပါဝါအချက်အောက်ရှိ input active power (သို့မဟုတ် DC ပါဝါ) နှင့် အင်ဗာတာ၏ တက်ကြွသောပါဝါ၏ အချိုးအစားဖြစ်သည်။

10. Load power factor သည် အင်ဗာတာ၏ inductive သို့မဟုတ် capacitive loads များကိုသယ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကိုကိုယ်စားပြုသည်။ sine wave အခြေအနေအောက်တွင်၊ load power factor သည် 0.7~0.9 (lag) ဖြစ်ပြီး အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော တန်ဖိုးမှာ 0.9 ဖြစ်သည်။

11. အချိုးမညီသော Load. 10% asymmetric load အောက်တွင်၊ ပုံသေကြိမ်နှုန်းသုံးဆင့် အင်ဗာတာ၏ အထွက်ဗို့အား အချိုးမညီဘဲ ≤10% ဖြစ်သင့်သည်။

12. အထွက်ဗို့အား မညီမျှခြင်း။ ပုံမှန်လည်ပတ်မှုအခြေအနေများအောက်တွင်၊ အင်ဗာတာမှထွက်ရှိသည့်အဆင့်သုံးဆင့်ဗို့အားမညီမျှမှု (ပြောင်းပြန်အစီအစဥ်အစိတ်အပိုင်းမှအပြုသဘောဆောင်သောအစီစဉ်အစိတ်အပိုင်း) ၏အထွက်နှုန်းသည် သတ်မှတ်ထားသောတန်ဖိုးထက်မကျော်လွန်သင့်ပါ၊ ယေဘုယျအားဖြင့် 5% သို့မဟုတ် 8% ကဲ့သို့သော % ဖြင့်ဖော်ပြသည်။

13. စတင်ခြင်းလက္ခဏာများ- ပုံမှန်လည်ပတ်မှုအခြေအနေအောက်တွင်၊ အင်ဗာတာသည် အပြည့်အ၀ ဝန်အပြည့်နှင့် ဝန်မရှိသောလည်ပတ်မှုအခြေအနေများအောက်တွင် အတန်းထဲတွင် ပုံမှန်အတိုင်း 5 ကြိမ် စတင်နိုင်ရပါမည်။

14. ကာကွယ်မှုလုပ်ဆောင်ချက်များ၊ အင်ဗာတာအား တပ်ဆင်သင့်သည်- ဝါယာရှော့ကာကွယ်ရေး၊ overcurrent protection၊ overtemperature protection၊ overvoltage protection၊ undervoltage protection နှင့် phase loss ကာကွယ်မှု။ ၎င်းတို့တွင် လျှပ်စီးကြောင်း ကာကွယ်ရေး ဆိုသည်မှာ ဗို့အား တည်ငြိမ်မှု တိုင်းတာခြင်း မရှိဘဲ အင်ဗာတာများအတွက် အထွက်ဗို့အား လွန်ကဲခြင်းကြောင့် အနုတ် terminal ကို ပျက်စီးခြင်းမှ ကာကွယ်ရန် အထွက်ဗို့အား အကာအကွယ် အစီအမံများ ရှိသင့်သည်။ Overcurrent Protection သည် ဝန်တိုလျှပ်စီးကြောင်း သို့မဟုတ် surge current ကြောင့် ပျက်စီးမှုမှကာကွယ်ရန် ခွင့်ပြုထားသောတန်ဖိုးထက်ကျော်လွန်သောအခါ အချိန်နှင့်တစ်ပြေးညီ လုပ်ဆောင်နိုင်စေရန် သေချာစေသင့်သည့် အင်ဗာတာ၏ overcurrent protection ကို ရည်ညွှန်းသည်။

15. စွက်ဖက်မှုနှင့် ဆန့်ကျင်စွက်ဖက်မှုဆန့်ကျင်မှု၊ အင်ဗာတာသည် သတ်မှတ်ထားသော ပုံမှန်လုပ်ငန်းခွင်အခြေအနေများအောက်တွင် ယေဘူယျပတ်ဝန်းကျင်တွင် လျှပ်စစ်သံလိုက်ဝင်ရောက်စွက်ဖက်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသင့်သည်။ အင်ဗာတာ၏ စွက်ဖက်မှုဆန့်ကျင်စွမ်းဆောင်မှုနှင့် လျှပ်စစ်သံလိုက်လိုက်ဖက်မှုတို့သည် သက်ဆိုင်ရာစံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီသင့်သည်။

16. မကြာခဏလည်ပတ်ခြင်း၊ စောင့်ကြည့်ထိန်းသိမ်းခြင်းမပြုသော အင်ဗာတာများသည် ≤95db ဖြစ်သင့်သည်။ မကြာခဏလည်ပတ်၊ စောင့်ကြည့်ပြီး ထိန်းသိမ်းထားသော အင်ဗာတာများသည် ≤80db ဖြစ်သင့်သည်။

17. Display၊ အင်ဗာတာတွင် AC အထွက်ဗို့အား၊ အထွက်လက်ရှိနှင့် အထွက်ကြိမ်နှုန်း၊ နှင့် input တိုက်ရိုက်ထုတ်လွှင့်မှု၊ စွမ်းအင်နှင့် ချို့ယွင်းမှုအခြေအနေစသည့် ဒေတာပြသမှုဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ တပ်ဆင်ထားသင့်သည်။

18. ဆက်သွယ်ရေးလုပ်ဆောင်ချက်။ အဝေးထိန်းဆက်သွယ်ရေးလုပ်ဆောင်ချက်သည် သုံးစွဲသူများအား စက်၏လည်ပတ်မှုအခြေအနေကို စစ်ဆေးရန်နှင့် ဆိုက်သို့မသွားရန် သိမ်းဆည်းထားသောဒေတာကို ခွင့်ပြုပေးသည်။

19. အထွက်ဗို့အား၏ လှိုင်းပုံသဏ္ဍာန် ပုံပျက်ခြင်း။ အင်ဗာတာအထွက်ဗို့အားသည် sinusoidal ဖြစ်သောအခါ၊ အများဆုံးခွင့်ပြုနိုင်သော လှိုင်းပုံသဏ္ဍာန်ပုံပျက်ခြင်း (သို့မဟုတ် ဟာမိုနစ်ပါဝင်မှု) ကို သတ်မှတ်ရပါမည်။ အများအားဖြင့် အထွက်ဗို့အား၏ စုစုပေါင်းလှိုင်းပုံသဏ္ဍာန်ပုံပျက်ခြင်းအဖြစ် ဖော်ပြသည်၊ ၎င်း၏တန်ဖိုးသည် 5% ထက်မပိုသင့်ပါ (10% ကို အဆင့်တစ်ဆင့်အထွက်အတွက် ခွင့်ပြုသည်)။

20. စတင်ခြင်းဝိသေသလက္ခဏာများ၊ အင်ဗာတာ၏ ဝန်ဖြင့်စတင်နိုင်မှုနှင့် တက်ကြွသောလည်ပတ်မှုအတွင်း ၎င်း၏စွမ်းဆောင်နိုင်မှုတို့ကို ဖော်ပြသည့် လက္ခဏာများ။ အင်ဗာတာသည် အဆင့်သတ်မှတ်ခံဝန်အောက်တွင် စတင်၍ ယုံကြည်စိတ်ချရကြောင်း သေချာစေသင့်သည်။

21. ဆူညံသံ။ ထရန်စဖော်မာများ၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ လျှပ်စစ်သံလိုက်ခလုတ်များ၊ ပန်ကာများနှင့် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများရှိ အခြားအစိတ်အပိုင်းများအားလုံးသည် ဆူညံသံများကို ထုတ်ပေးပါသည်။ အင်ဗာတာ ပုံမှန်လည်ပတ်နေချိန်တွင် ၎င်း၏ဆူညံသံသည် 80dB ထက်မပိုသင့်ဘဲ အင်ဗာတာအသေးတစ်ခု၏ အသံသည် 65dB ထက်မပိုသင့်ပါ။

ဘက်ထရီ လက္ခဏာများ-

PV ဘက်ထရီ

ဆိုလာအင်ဗာတာစနစ်ကို တီထွင်ရန်အတွက် ဆိုလာဆဲလ်များ (PV cells) ၏ ကွဲပြားသောလက္ခဏာများကို ဦးစွာနားလည်ရန် အရေးကြီးပါသည်။ Rp နှင့် Rs တို့သည် စံပြအခြေအနေများအောက်တွင် အနန္တနှင့် သုည အသီးသီးရှိသော ကပ်ပါးခုခံမှုများဖြစ်သည်။

အလင်းပြင်းအားနှင့် အပူချိန်သည် PV ဆဲလ်များ၏ လည်ပတ်မှုလက္ခဏာများကို သိသိသာသာ ထိခိုက်စေနိုင်သည်။ လျှပ်စီးကြောင်းသည် အလင်းပြင်းအားနှင့် အချိုးကျသော်လည်း အလင်းပြောင်းလဲမှုများသည် လည်ပတ်ဗို့အားအပေါ်တွင် အနည်းငယ်သာသက်ရောက်မှုရှိသည်။ သို့သော် လည်ပတ်နေသော ဗို့အားသည် အပူချိန်ကြောင့် ထိခိုက်သည်။ ဘက်ထရီ အပူချိန် မြင့်တက်လာခြင်းသည် လည်ပတ်ဗို့အားကို လျှော့ချပေးသော်လည်း ထုတ်ပေးသည့် လက်ရှိအပေါ် သက်ရောက်မှု အနည်းငယ်သာရှိသည်။ အောက်ဖော်ပြပါပုံသည် PV module များပေါ်ရှိ အပူချိန်နှင့် အလင်းရောင်၏သက်ရောက်မှုများကို ဖော်ပြသည်။

အလင်းပြင်းအားပြောင်းလဲမှုများသည် အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုထက် ဘက်ထရီအထွက်ပါဝါအပေါ် သက်ရောက်မှုရှိသည်။ ဒါက အသုံးများတဲ့ PV ပစ္စည်းတွေ အားလုံးအတွက် မှန်ပါတယ်။ ဤအကျိုးသက်ရောက်မှုနှစ်ခုပေါင်းစပ်ခြင်း၏အရေးကြီးသောအကျိုးဆက်တစ်ခုမှာ PV ဆဲလ်တစ်ခု၏စွမ်းအားသည် အလင်းပြင်းအားကျဆင်းခြင်းနှင့်/သို့မဟုတ် အပူချိန်တိုးလာသည်နှင့်အမျှ လျော့နည်းသွားခြင်းပင်ဖြစ်သည်။

အများဆုံးပါဝါပွိုင့် (MPP)

ဆိုလာဆဲလ်များသည် ကျယ်ပြန့်သော ဗို့အားများနှင့် ရေစီးကြောင်းများပေါ်တွင် လည်ပတ်နိုင်သည်။ MPP ကို ​​သုည (short circuit event) မှ အလွန်မြင့်မားသော တန်ဖိုး (open circuit event) မှ အလင်းဆဲလ်ပေါ်ရှိ ခံနိုင်ရည်ရှိသောဝန်အား စဉ်ဆက်မပြတ် တိုးမြှင့်ခြင်းဖြင့် ဆုံးဖြတ်သည်။ MPP သည် V x I ၏ အမြင့်ဆုံးတန်ဖိုးသို့ရောက်ရှိပြီး ဤအလင်းရောင်ပြင်းအားတွင် အမြင့်ဆုံးပါဝါကို ရရှိနိုင်သည်။ ဝါယာရှော့တစ်ခု (PV ဗို့အား သုညနှင့် ညီမျှသည်) သို့မဟုတ် အဖွင့်ပတ်လမ်း (PV current နှင့် ညီမျှသည်) ဖြစ်ရပ်သည် သုညဖြစ်သွားသောအခါ အထွက်ပါဝါသည် သုညဖြစ်သည်။

အရည်အသွေးမြင့် monocrystalline silicon ဆိုလာဆဲလ်များသည် အပူချိန် 25°C တွင် အဖွင့်ပတ်လမ်းဗို့အား 0.60 ဗို့ကို ထုတ်လုပ်သည်။ နေရောင်ခြည်အပြည့်နှင့် လေအပူချိန် 25°C ဖြင့်၊ ပေးထားသောဆဲလ်တစ်ခု၏အပူချိန်သည် 45°C အနီးရှိနိုင်ပြီး ၎င်းသည် အဖွင့်ပတ်လမ်းဗို့အား 0.55V ခန့်အထိ လျှော့ချပေးမည်ဖြစ်သည်။ အပူချိန်တိုးလာသည်နှင့်အမျှ PV Module short circuit မရောက်မချင်း အဖွင့်ပတ်လမ်းဗို့အား ဆက်လက်ကျဆင်းသွားပါသည်။

ဘက်ထရီ အပူချိန် 45°C တွင် အမြင့်ဆုံး ပါဝါကို ပုံမှန်အားဖြင့် 80% open circuit voltage နှင့် 90% short circuit current ဖြင့် ထုတ်လုပ်ပါသည်။ ဘက်ထရီ၏ short-circuit current သည် illumination နှင့် အချိုးညီလုနီးပါးဖြစ်ပြီး၊ illumination ကို 80% လျှော့ချလိုက်သောအခါ open-circuit voltage သည် 10% သာ လျော့နည်းသွားနိုင်သည်။ အရည်အသွေးနိမ့်ဘက်ထရီများသည် လက်ရှိ တိုးလာသောအခါတွင် ဗို့အားကို ပိုမြန်စေပြီး ရရှိနိုင်သော ပါဝါကို လျှော့ချပေးသည်။ အထွက်နှုန်းသည် 70% မှ 50% သို့ 25% သာ ကျဆင်းသွားသည်။

နေရောင်ခြည် မိုက်ခရိုအင်ဗာတာသည် PV မော်ဂျူးများမှ အမြင့်ဆုံးစွမ်းအင်ကို MPP တွင် သတ်မှတ်အချိန်အတွင်း လည်ပတ်နေစေရန် သေချာစေရမည်။ Maximum Power Point Tracker (MPPT) ဟုလည်းသိကြသည့် အမြင့်ဆုံးပါဝါပွိုင့်ထိန်းချုပ်မှု စက်ဝိုင်းကို အသုံးပြု၍ ၎င်းကို အောင်မြင်နိုင်သည်။ MPP ခြေရာခံခြင်း၏ မြင့်မားသောအချိုးအစားကိုရရှိရန် PV အထွက်ဗို့အား လှိုင်းအလုံအလောက်သေးငယ်သောကြောင့် အမြင့်ဆုံးပါဝါပွိုင့်အနီးတွင် လည်ပတ်သည့်အခါ PV လက်ရှိသည် အလွန်အကျွံမပြောင်းလဲစေရန်လည်း လိုအပ်ပါသည်။

PV module များ၏ MPP ဗို့အားအကွာအဝေးကို အများအားဖြင့် 25V မှ 45V အကွာအဝေးတွင် သတ်မှတ်နိုင်ပြီး၊ ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 250W နှင့် 50V အောက်ရှိ အဖွင့် circuit voltage တို့ဖြင့် သတ်မှတ်နိုင်သည်။

အသုံးပြုမှုနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု-

အသုံးပြု

1. အင်ဗာတာ လည်ပတ်မှုနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု ညွှန်ကြားချက်များ၏ လိုအပ်ချက်များနှင့်အညီ စက်ပစ္စည်းများကို တင်းကြပ်စွာ ချိတ်ဆက်ပြီး တပ်ဆင်ပါ။ တပ်ဆင်နေစဉ်အတွင်း ဝိုင်ယာကြိုးအချင်းသည် လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီမှုရှိမရှိ ဂရုတစိုက်စစ်ဆေးသင့်သည်။ သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးကာလအတွင်း အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ဂိတ်များ လျော့ရဲမှုရှိမရှိ၊ လျှပ်ကာအစိတ်အပိုင်းများသည် ကောင်းမွန်စွာ ကာထားခြင်းရှိမရှိ၊ စနစ်၏အခြေခံစည်းမျဉ်းများနှင့်ကိုက်ညီမှုရှိမရှိ။

2. အသုံးပြုခြင်းနှင့် ထိန်းသိမ်းခြင်းအတွက် ညွှန်ကြားချက်များနှင့်အညီ အင်ဗာတာအား တင်းကြပ်စွာ လည်ပတ်အသုံးပြုသင့်သည်။ အထူးသဖြင့်- စက်ကိုမဖွင့်မီ၊ အဝင်ဗို့အား ပုံမှန်ဟုတ်မဟုတ်ကို ဂရုပြုပါ။ လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း စက်အဖွင့်အပိတ်လုပ်ခြင်း၏ စီစဥ်သည် မှန်ကန်မှုရှိမရှိ၊ မီတာတစ်ခုစီ၏ ညွှန်ပြချက်များနှင့် အချက်ပြမီးများသည် ပုံမှန်ဟုတ်မဟုတ်ကို အာရုံစိုက်ပါ။

3. အင်ဗာတာများသည် ယေဘုယျအားဖြင့် circuit ကွဲခြင်း၊ overcurrent, overvoltage, overheating, overheat and other items များအတွက် အလိုအလျောက် အကာအကွယ် ရှိသည်၊ ထို့ကြောင့် အဆိုပါ ဖြစ်စဉ်များ ဖြစ်ပေါ်လာသောအခါတွင်၊ ကိုယ်တိုင် ပိတ်ရန် မလိုအပ်ပါ။ အလိုအလျောက်ကာကွယ်မှု၏အကာအကွယ်အမှတ်များကို စက်ရုံတွင် ယေဘူယျအားဖြင့်သတ်မှတ်ထားပြီး ထပ်မံချိန်ညှိရန်မလိုအပ်ပါ။

4. အင်ဗာတာဗီရိုတွင် မြင့်မားသောဗို့အားရှိသည်။ အော်ပရေတာများသည် ယေဘူယျအားဖြင့် ကက်ဘိနက်တံခါးကို ဖွင့်ခွင့်မပြုဘဲ သာမန်အချိန်များတွင် အစိုးရအဖွဲ့တံခါးကို သော့ခတ်ထားသင့်သည်။

5. အခန်းအပူချိန် 30 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် ကျော်လွန်သောအခါ၊ စက်ပစ္စည်းချို့ယွင်းမှုမှ ကာကွယ်ရန်နှင့် စက်ပစ္စည်း၏ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို သက်တမ်းတိုးရန် အပူပေးဝေခြင်းနှင့် အအေးပေးခြင်းတို့ကို ဆောင်ရွက်သင့်သည်။

ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု စစ်ဆေးရေး

1. အင်ဗာတာ၏ အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုစီ၏ ဝိုင်ယာကြိုးများသည် ခိုင်မာမှုရှိမရှိနှင့် လျော့ရဲမှုရှိမရှိ ပုံမှန်စစ်ဆေးပါ။ အထူးသဖြင့် ပန်ကာ၊ ပါဝါ module၊ input terminal၊ output terminal နှင့် grounding ကို သေချာစစ်ဆေးသင့်သည်။

2. နှိုးစက်ပိတ်သွားသည်နှင့် ချက်ချင်းစတင်ရန် ခွင့်မပြုပါ။ မစတင်မီ အကြောင်းရင်းကို ရှာဖွေပြီး ပြုပြင်သင့်သည်။ အင်ဗာတာ ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုလမ်းညွှန်တွင် သတ်မှတ်ထားသည့် အဆင့်များနှင့်အညီ စစ်ဆေးခြင်းကို တင်းကြပ်စွာ ဆောင်ရွက်သင့်သည်။

3. အော်ပရေတာများသည် အထူးလေ့ကျင့်မှုခံယူရမည်ဖြစ်ပြီး ယေဘုယျချို့ယွင်းချက်များ၏ အကြောင်းရင်းများကို ဆုံးဖြတ်နိုင်ကာ ဖျစ်များ၊ အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ပျက်စီးနေသော ဆားကစ်ဘုတ်များကို ကျွမ်းကျင်စွာ အစားထိုးခြင်းကဲ့သို့သော ၎င်းတို့အား ဖယ်ရှားရှင်းလင်းနိုင်ရမည်။ လေ့ကျင့်မထားသောဝန်ထမ်းများအား စက်ကိရိယာများလည်ပတ်ခွင့်မပြုပါ။

4. ပပျောက်ရန်ခက်ခဲသော မတော်တဆမှုတစ်ခုဖြစ်ပွားပါက သို့မဟုတ် မတော်တဆဖြစ်ပွားရသည့်အကြောင်းရင်းကို မရှင်းလင်းပါက၊ မတော်တဆမှုအသေးစိတ်မှတ်တမ်းများကို သိမ်းဆည်းထားသင့်ပြီး အင်ဗာတာထုတ်လုပ်သူကို အချိန်မီဖြေရှင်းရန် အကြောင်းကြားသင့်ပါသည်။