Meriv çawa karîgerî û hilberîna hêzê ya inverterên fotovoltaîk çêtir dike?

Girîngiya Karûbariya Veguherîna Veguheztina Fotovoltaîk

Ew pir girîng e ku meriv karbidestiya veguherînê çêtir bikeinverters fotovoltaîk . Mînakî, heke em karîgeriya veguheztinê 1% zêde bikin, înverterek 500 KW dikare her roj bi navînî 4 demjimêran nêzikî 20 kîlovat demjimêrên din elektrîkê hilberîne. Dikare salê nêzî 7300 kîlovat-saetên din elektrîkê derxîne û di deh salan de 73 hezar kîlovat-saetên elektrîkê zêde derxîne, ku bi qasî hilberîna elektrîkê ya înverterek 5 KW ye. Bi vî rengî, xerîdar dikarin santralek elektrîkê bi guhêrbarek 5KW xilas bikin, ji ber vê yekê ji bo ku xerîdar çêtir bikin ' Di berjewendiya çêtirîn de, pêdivî ye ku em bi qasî ku gengaz be karîgeriya veguheztina guhêrbar zêde bikin.

Faktorên ku bandor li ser kargêriya invertera fotovoltaîk dikin

Awayê yekane ji bo baştirkirina kargêriya inverter kêmkirina windayan e. Windahiyên sereke yên înverterê ji lûleyên veguheztina hêzê yên wekî IGBT û MOSFET, û her weha amûrên magnetîkî yên wekî transformator û înduktor têne. Windahiyên bi niha û voltaja pêkhateyan û pêvajoya materyalên hilbijartî ve girêdayî ne. Têkilî hene. Windahiyên IGBT bi giranî windabûna rêgirtinê û windakirina veguherînê ne. Wendabûna rêgirtinê bi berxwedana hundurîn a cîhazê û herikîna derbasbûnê ve girêdayî ye. Wendakirina veguheztinê bi frekansa veguheztina amûrê û voltaja DC ya ku cîhaz radiweste ve girêdayî ye.

Di windabûna înduktorê de bi giranî windabûna sifir û windabûna hesin heye. Wendabûna sifir tê wateya windabûna ku ji ber berxwedana kulika induktorê çêdibe. Dema ku herik di berxwedana kulîlkê re derbas dibe û germ dibe, beşek ji enerjiya elektrîkê dê bibe enerjiya germê û winda bibe. Ji ber ku kulm bi gelemperî ji têla sifir a îzolekirî tê çêkirin Ew birîn e, ji ber vê yekê jê re windabûna sifir tê gotin. Wendabûna sifir dikare bi pîvandina impedansê ya kurt a transformatorê were hesibandin. Wendabûna hesin du aliyan vedihewîne: yek windabûna hîstereziyê û ya din jî windabûna tîrêjê ye. Wendabûna hesin dikare bi pîvandina herika bêbar a trafoyê were hesibandin.

Meriv çawa karîgeriya învertera fotovoltaîk baştir dike?

Niha sê rêyên teknîkî hene: yek ew e ku meriv rêbazên kontrolê yên wekî modulasyona firehiya nebza vektora fezayê bikar bîne da ku windahiyan kêm bike; ya din ev e ku meriv hêmanên materyalê karbîdê silicon bikar bîne da ku berxwedana hundurîn a amûrên hêzê kêm bike; ya sêyem ev e ku meriv topolojiya elektrîkê ya sê-ast, pênc-ast û pir-astek din bikar bîne û teknolojiya veguheztina nerm voltaja li ser cîhaza hêzê kêm dike û frekansa veguheztinê ya cîhaza hêzê kêm dike.

1. Modulation firehiya nebza vector space Voltage

Ew rêbazek kontrolê ya bi tevahî dîjîtal e ku bi avantajên karanîna voltaja DC ya bilind û kontrolkirina hêsan e, û bi berfirehî di inverteran de tê bikar anîn. Rêjeya karanîna voltaja DC-ê zêde ye, û voltaja otobusê ya DC-ya kêmtir dikare di bin heman voltaja derketinê de were bikar anîn, bi vî rengî stresa voltaja ya cîhaza veguheztina hêzê kêm dike, windabûna guheztina li ser cîhazê piçûktir e, û karbidestiya veguheztina guhêrbar. heta radeyekê baştir dibe. serrastkirinî. Di senteza vektora fezayê de, cûrbecûr awayên berhevdana rêza vektoran hene. Bi navhevkirin û rêzkirinên cihêreng, bandora kêmkirina hejmara demên guheztinê yên cîhazên hêzê dikare were bidestxistin, bi vî rengî windahiyên veguheztinê yên cîhazên hêza inverterê bêtir kêm dike.

2. Components bikaranîna materyalên silicon carbide

Berxwedana li ser yekîneya qada cîhazên karbîd ên silicon tenê ji sedî yek ji ya amûrên silicon e. Berxwedana li ser-dewletê ya amûrên hêzê yên wekî IGBT-yên ku ji materyalên karbîd ên silicon hatine çêkirin, ji dehyeka amûrên siliconê yên normal kêm dibe. Teknolojiya karbîd a silicon dikare bi bandor kêm bike Hêza vegerandina berevajî ya diodê piçûk e, ku dikare windahiyên guheztinê yên li ser cîhaza hêzê kêm bike, û kapasîteya heyî ya ku ji hêla guheztina sereke ve tê xwestin jî dikare li gorî vê kêm bibe. Ji ber vê yekê, karanîna dîodên karbîd ên silicon wekî diodên dijî-paralel ên guheztina sereke awayê çêtirîn e ku meriv karbidestiya guhêrbar çêtir bike. rê. Li gorî dîodên dij-paralel ên siliconê yên zû-vegerê yên kevneşopî, piştî karanîna dîodên dij-paralel ên karbîd ên siliconê, heyama vegerandina berevajî ya diodê bi girîngî kêm dibe û karbidestiya veguheztinê ya giştî dikare% 1 were baştir kirin. Piştî karanîna IGBT-ya bilez, leza guheztinê bileztir dibe û karbidestiya veguheztina tevahiya makîneyê dikare ji sedî 2 baştir bibe. Dema ku diodên dij-paralel ên SiC bi IGBT-yên bilez re têne hev kirin, dê kargêriya guhêrbar hîn bêtir baştir bibe.

3. Guhestina nerm û teknolojiya pir-asta

Teknolojiya guhastinê ya nerm prensîba rezonansê bikar tîne da ku guheztina niha an voltaja di cîhaza veguheztinê de bi sinusoidî an jî hema-sinusoidal biguhere. Dema ku niha bi xwezayî ji sifirê derbas dibe, amûr tê girtin; dema ku voltaja bi xwezayî ji sifirê derbas dibe, amûr tê pêxistin. Ev windahiyên veguheztinê kêm dike û pir pirsgirêkên wekî vekêşana induktîf û vekirina kapasîteyê pir çareser dike. Dema ku voltaja li ser lûleya guheztinê an jî herikîna ku di lûleya guheztinê re diherike sifir be, ew tê girtin an qutkirin, da ku di lûleya guheztinê de windahiyek guheztinê tune be. Li gorî strukturên kevneşopî yên du-ast, hilberîna guhêrbar a sê-ast asta sifir zêde dike, û stresa voltaja ya cîhaza hêzê nîvî dibe. Ji ber vê avantajê, di heman frekansa veguheztinê de, guhêrbar dikare ji strukturek du-ast de înduktorek fîltera derketinê piçûktir bikar bîne, û windabûna induktorê, lêçûn û hêjmar dikare bi bandor were kêm kirin; û di heman naveroka ahengê de, veguhezkar dikare frekansek veguheztinê kêmtir ji strukturên du-asta bikar bîne, windabûna guheztina cîhazê piçûktir e, û karîgeriya veguheztinê ya guhêrbar çêtir dibe.